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SQJ956EP-T1_GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 9:05:00 查看 閱讀�31

SQJ956EP-T1_GE3 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn)。該器件適用于高頻開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠��
  這款芯片的封裝形式為 TO-252(DPAK),具備出色的散熱性能,同�(shí)其電氣特性經(jīng)過優(yōu)�,使其在大電流和高頻率的工作條件下依然保持穩(wěn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:4mΩ
  柵極電荷�35nC
  開關(guān)頻率�1MHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

SQJ956EP-T1_GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,從而減少了傳導(dǎo)損耗,提高了整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度,確保了在高頻應(yīng)用中的優(yōu)異表�(xiàn)�
  3. �(nèi)置過溫保�(hù)功能,增�(qiáng)了器件在極端條件下的可靠��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  5. 具備較高的雪崩擊穿能�,提升了器件在瞬�(tài)電壓下的耐受性�
  6. 封裝體積�,易于集成到緊湊型設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  5. 汽車電子系統(tǒng)
  6. LED �(qū)�(dòng)電路
  7. 可再生能源逆變�
  SQJ956EP-T1_GE3 的高效率和穩(wěn)定性使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

SQJ956DP, IRF840, FQP30N06L

sqj956ep-t1_ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sqj956ep-t1_ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�22�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �8.82000剪切帶(CT�3,000 : �3.73261卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N-通道(雙�
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss�60V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)23A(Tc�
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)26.7 毫歐 @ 5.2A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)30nC @ 10V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1395pF @ 30V
  • 功率 - 最大�34W
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8 �
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? SO-8 �