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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SQJ848EP-T1-GE3

SQJ848EP-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 18:15:49 查看 閱讀�14

SQJ848EP-T1-GE3是一種高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少發(fā)�。其封裝形式緊湊,適合高密度�(shè)�,同時具備良好的熱性能和電氣穩(wěn)定性�
  該型號屬于工�(yè)級或汽車級產(chǎn)品線,能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,是許多高效能電力應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  反向恢復(fù)時間�75ns
  工作溫度范圍�-40� to +150�

特�

SQJ848EP-T1-GE3具有卓越的電氣性能和可靠�。其主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損�,并支持高頻操作�
  3. 緊湊型封裝設(shè)�,節(jié)省PCB空間,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對小型化的需��
  4. 良好的熱性能,確保在高負(fù)載條件下仍能�(wěn)定工��
  5. 高雪崩耐量能力,增�(qiáng)了器件在異常情況下的保護(hù)功能�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適應(yīng)�(yán)格的法規(guī)要求�

�(yīng)�

SQJ848EP-T1-GE3適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)�,具體包括:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如適配器、充電器和工�(yè)電源�
  2. 電機(jī)�(qū)動電�,例如家用電器中的無刷直流電�(jī)控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電�、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中�
  4. 汽車�(yīng)�,如電動助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS�、制動系�(tǒng)和車載充電器�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
  這些�(yīng)用場景均受益于該器件的高效能和高可靠性特�(diǎn)�

替代型號

SQJ848EP-T1-GE1
  SQJ848EP-T1-GE2
  IRL3803
  FDP5510

sqj848ep-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sqj848ep-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫歐 @ 10.3A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs55nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 20V
  • 功率 - 最�68W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)