SQJ848EP-T1-GE3是一種高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少發(fā)�。其封裝形式緊湊,適合高密度�(shè)�,同時具備良好的熱性能和電氣穩(wěn)定性�
該型號屬于工�(yè)級或汽車級產(chǎn)品線,能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,是許多高效能電力應(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷�45nC
反向恢復(fù)時間�75ns
工作溫度范圍�-40� to +150�
SQJ848EP-T1-GE3具有卓越的電氣性能和可靠�。其主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損�,并支持高頻操作�
3. 緊湊型封裝設(shè)�,節(jié)省PCB空間,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對小型化的需��
4. 良好的熱性能,確保在高負(fù)載條件下仍能�(wěn)定工��
5. 高雪崩耐量能力,增�(qiáng)了器件在異常情況下的保護(hù)功能�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適應(yīng)�(yán)格的法規(guī)要求�
SQJ848EP-T1-GE3適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)�,具體包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如適配器、充電器和工�(yè)電源�
2. 電機(jī)�(qū)動電�,例如家用電器中的無刷直流電�(jī)控制�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電�、通信�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中�
4. 汽車�(yīng)�,如電動助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS�、制動系�(tǒng)和車載充電器�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
這些�(yīng)用場景均受益于該器件的高效能和高可靠性特�(diǎn)�
SQJ848EP-T1-GE1
SQJ848EP-T1-GE2
IRL3803
FDP5510