日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 15:01:32 查看 閱讀�23

SQJ459EP-T1_GE3 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,主要�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升電路效率并降低功耗�
  該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET,支持大電流輸出,同�(shí)具備良好的熱性能和抗干擾能力,適用于各種工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理場(chǎng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�72A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�80nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=11ns, toff=16ns
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

SQJ459EP-T1_GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高擊穿電壓設(shè)�(jì),確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,有助于降低�(kāi)�(guān)損耗并支持高頻�(yīng)用�
  4. �(yōu)化的柵極電荷特�,簡(jiǎn)化驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)并減少能量消��
  5. �(qiáng)大的�(guò)流能力和�(yōu)異的熱性能,適合高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��
  6. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛的工作條件�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

SQJ459EP-T1_GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  6. 電動(dòng)工具和家用電�
  7. 汽車電子中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和電源管�
  其強(qiáng)大的性能和可靠性使其成為許多高要求�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

SQJ459DP, IRF7727, FDP15N60S

sqj459ep-t1_ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sqj459ep-t1_ge3�(chǎn)�

sqj459ep-t1_ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �11.61000剪切帶(CT�3,000 : �4.92112卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)52A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)18 毫歐 @ 3.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)108 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)4586 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)83W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8