SQD50N10-8M9L_GE3 是一款基� MOSFET 技�(shù)� N 溝道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)�(guān)性能,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用。其封裝形式� TO-264(DPAK�,支持表面貼裝技�(shù),能夠有效降低系�(tǒng)熱阻并提高散熱性能�
該型�(hào)中的 SQD 表示�(chǎn)品系列,50 表示最大漏極電流(以安培為單位�,N 表示 N 溝道�(lèi)��10 表示最大漏源電壓(以伏特為單位)。后� -8M9L � GE3 則表示特定的�(chǎn)品版本和代工�(chǎng)信息�
最大漏源電壓:100V
最大漏極電流:50A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷�35nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=25ns, toff=15ns
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-264
SQD50N10-8M9L_GE3 的主要特性包括:
1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)):在典型工作條件下,其�(dǎo)通電阻僅� 4mΩ,顯著降低了�(dǎo)通損耗�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力:具備快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠減少開(kāi)�(guān)損耗,并提升高頻應(yīng)用下的效��
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):采� TO-264 封裝�(shè)�(jì),具有良好的散熱性能,可確保在高功率密度�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
4. 柵極�(qū)�(dòng)兼容性:低柵極電荷特性使得驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)更加�(jiǎn)單且高效�
5. 寬工作溫度范圍:能夠� -55� � +175� 的結(jié)溫范圍內(nèi)可靠工作,適合工�(yè)及汽�(chē)�(jí)�(yīng)��
6. 高可靠性:通過(guò)了多�(xiàng)�(zhì)量認(rèn)證測(cè)試,包括潮濕敏感度等�(jí)(MSL)和抗靜電能力(ESD)測(cè)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
包括 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器,在這些�(yīng)用中用作主功率開(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
用于�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控制器、伺服電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�,提供高效的功率輸出�
3. 工業(yè)自動(dòng)化:
在變頻器、逆變器以及其他工�(yè)控制�(shè)備中作為�(guān)鍵功率元��
4. 汽車(chē)電子�
例如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS�、制�(dòng)系統(tǒng)以及新能源汽�(chē)的動(dòng)力管理單元�
5. 照明控制�
� LED �(qū)�(dòng)器和智能照明控制系統(tǒng)中實(shí)�(xiàn)精確的電流調(diào)節(jié)�
SQD50N10-8M8L_GE3, IRF540N, FDP5020N