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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 15:51:53 查看 閱讀�34

SQD50N10-8M9L_GE3 是一款基� MOSFET 技�(shù)� N 溝道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)�(guān)性能,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用。其封裝形式� TO-264(DPAK�,支持表面貼裝技�(shù),能夠有效降低系�(tǒng)熱阻并提高散熱性能�
  該型�(hào)中的 SQD 表示�(chǎn)品系列,50 表示最大漏極電流(以安培為單位�,N 表示 N 溝道�(lèi)��10 表示最大漏源電壓(以伏特為單位)。后� -8M9L � GE3 則表示特定的�(chǎn)品版本和代工�(chǎng)信息�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大漏極電流:50A
  �(dǎo)通電阻:4mΩ
  柵極電荷�35nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=25ns, toff=15ns
  �(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-264

特�

SQD50N10-8M9L_GE3 的主要特性包括:
  1. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)):在典型工作條件下,其�(dǎo)通電阻僅� 4mΩ,顯著降低了�(dǎo)通損耗�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力:具備快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠減少開(kāi)�(guān)損耗,并提升高頻應(yīng)用下的效��
  3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):采� TO-264 封裝�(shè)�(jì),具有良好的散熱性能,可確保在高功率密度�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  4. 柵極�(qū)�(dòng)兼容性:低柵極電荷特性使得驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)更加�(jiǎn)單且高效�
  5. 寬工作溫度范圍:能夠� -55� � +175� 的結(jié)溫范圍內(nèi)可靠工作,適合工�(yè)及汽�(chē)�(jí)�(yīng)��
  6. 高可靠性:通過(guò)了多�(xiàng)�(zhì)量認(rèn)證測(cè)試,包括潮濕敏感度等�(jí)(MSL)和抗靜電能力(ESD)測(cè)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):
   包括 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器,在這些�(yīng)用中用作主功率開(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   用于�(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)控制器、伺服電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�,提供高效的功率輸出�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化:
   在變頻器、逆變器以及其他工�(yè)控制�(shè)備中作為�(guān)鍵功率元��
  4. 汽車(chē)電子�
   例如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS�、制�(dòng)系統(tǒng)以及新能源汽�(chē)的動(dòng)力管理單元�
  5. 照明控制�
   � LED �(qū)�(dòng)器和智能照明控制系統(tǒng)中實(shí)�(xiàn)精確的電流調(diào)節(jié)�

替代型號(hào)

SQD50N10-8M8L_GE3, IRF540N, FDP5020N

sqd50n10-8m9l_ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

sqd50n10-8m9l_ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �13.91000剪切帶(CT�2,000 : �6.38163卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)50A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)8.9 毫歐 @ 15A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)70 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)2950 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)136W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�TO-252AA
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線(xiàn) + 接片�,SC-63