SQD50N02-04L-GE3是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于低電壓應(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著提高效率并減少功率損��
這種型號(hào)通常用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電池保�(hù)電路以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用中。其封裝形式為SOT-23,尺寸小�,便于在空間受限的設(shè)�(jì)中使��
最大漏源電壓:20V
連續(xù)漏極電流�5A
�(dǎo)通電阻:8mΩ
柵極電荷�10nC
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:SOT-23
SQD50N02-04L-GE3具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. 高耐熱性能,能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定運(yùn)��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),適合緊湊型電路板布局�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 可靠性高,使用壽命長(zhǎng),適用于多種工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)��
該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
2. �(fù)載開(kāi)�(guān),用于動(dòng)�(tài)控制電路中的電流流向�
3. 電池保護(hù)電路,防止過(guò)充或�(guò)放現(xiàn)象發(fā)生�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,提供高效的功率傳輸�
5. 移動(dòng)�(shè)備電源管理模�,確保能源高效利用�
6. 其他需要低�(dǎo)通電阻與快速響�(yīng)特性的�(chǎng)��
SQD50N02-04L-G, SQD50N02L-08-E3, FDS6680A