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SQD100N04-3M6 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 3:10:13 查看 閱讀�8

SQD100N04-3M6 是一款基� MOSFET 技�(shù)� N 溝道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種高效能電源管理場(chǎng)�。其耐壓能力� 40V,適合在中低壓環(huán)境中使用。此�,該型號(hào)的封裝形式通常為貼片式,方便自�(dòng)化生�(chǎn)裝配�
  這款芯片廣泛�(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)�。通過�(yōu)化設(shè)�(jì),SQD100N04-3M6 能夠提供卓越的性能表現(xiàn),并滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效化的�(yán)格要��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�100A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3mΩ
  柵極電荷�55nC
  總功耗:22W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

SQD100N04-3M6 具有非常低的�(dǎo)通電阻(僅為 3mΩ�,這使其在高電流應(yīng)用中能夠顯著減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
  同時(shí),該器件具備快速開�(guān)能力,可以有效降低開�(guān)損�,從而提升整體性能�
  其高耐溫特性使得它能夠在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,而無需額外的散熱措��
  另外,由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),該芯片體積小巧,非常適合對(duì)空間有限制的�(yīng)用場(chǎng)��
  總之,SQD100N04-3M6 憑借其�(yōu)異的電氣特性和可靠性,成為眾多電力電子�(shè)�(jì)的理想選��

�(yīng)�

SQD100N04-3M6 主要�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和大電流處理的�(chǎng)�,例如:
  - DC/DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元�
  - 電動(dòng)工具及家用電器內(nèi)的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路
  - 服務(wù)器與通信電源模塊中的功率管理部分
  - 新能源汽車電池管理系�(tǒng)中的�(guān)鍵組�
  - 各類便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)功能�(shí)�(xiàn)
  由于其出色的性能指標(biāo),該型號(hào)特別適合那些追求緊湊�(shè)�(jì)和高性能輸出的設(shè)�(jì)方案�

替代型號(hào)

SQD100N04L-3M6
  SQD100N04T-3M6

sqd100n04-3m6推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 詢價(jià)