SQD100N04-3M6 是一款基� MOSFET 技�(shù)� N 溝道功率�(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種高效能電源管理場(chǎng)�。其耐壓能力� 40V,適合在中低壓環(huán)境中使用。此�,該型號(hào)的封裝形式通常為貼片式,方便自�(dòng)化生�(chǎn)裝配�
這款芯片廣泛�(yīng)用于 DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)�。通過�(yōu)化設(shè)�(jì),SQD100N04-3M6 能夠提供卓越的性能表現(xiàn),并滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效化的�(yán)格要��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�100A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3mΩ
柵極電荷�55nC
總功耗:22W
工作溫度范圍�-55� � +175�
SQD100N04-3M6 具有非常低的�(dǎo)通電阻(僅為 3mΩ�,這使其在高電流應(yīng)用中能夠顯著減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
同時(shí),該器件具備快速開�(guān)能力,可以有效降低開�(guān)損�,從而提升整體性能�
其高耐溫特性使得它能夠在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,而無需額外的散熱措��
另外,由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),該芯片體積小巧,非常適合對(duì)空間有限制的�(yīng)用場(chǎng)��
總之,SQD100N04-3M6 憑借其�(yōu)異的電氣特性和可靠性,成為眾多電力電子�(shè)�(jì)的理想選��
SQD100N04-3M6 主要�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和大電流處理的�(chǎng)�,例如:
- DC/DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元�
- 電動(dòng)工具及家用電器內(nèi)的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路
- 服務(wù)器與通信電源模塊中的功率管理部分
- 新能源汽車電池管理系�(tǒng)中的�(guān)鍵組�
- 各類便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)功能�(shí)�(xiàn)
由于其出色的性能指標(biāo),該型號(hào)特別適合那些追求緊湊�(shè)�(jì)和高性能輸出的設(shè)�(jì)方案�
SQD100N04L-3M6
SQD100N04T-3M6