SQCBEA681GAJWE 是一款基于硅技術的高效能功� MOSFET 芯片,專為高頻開關應用而設計。該器件采用先進的制程工藝,能夠顯著降低導通電阻和開關損耗,從而提升整體效�。其廣泛應用于開關電�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載切換等場景�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�70nC
開關速度:超高�
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:TO-247
SQCBEA681GAJWE 具備卓越的電氣性能和熱性能,其低導通電阻可有效減少功率損�,提高系�(tǒng)效率。此�,該器件支持高頻率操�,同時保持較低的開關損��
這款芯片還具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下正常運�。其堅固的設計使其適合工�(yè)級及汽車級應�,滿足嚴苛環(huán)境下的使用需��
SQCBEA681GAJWE 適用于多種電力電子應用場�,包括但不限于以下領域:
- 開關模式電源(SMPS�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電機�(qū)動電�
- 電池管理系統(tǒng)(BMS�
- 電信設備中的負載切換
- 工業(yè)自動化控�
SQCBEA681GAJXW
SQCBEA682GBJWE
IRF640N