類型：增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN FET)
　　耐壓：650 V
　　連續(xù)漏極電流：9 A
　　導(dǎo)通電阻：120 mΩ
　　柵極電荷：45 nC
　　開關(guān)頻率：高達(dá) 5 MHz
　　封裝形式：LLGA-8
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C

SQCB7M9R1BAJWE 的主要特點(diǎn)是采用了氮化鎵材料，相較于傳統(tǒng)的硅基 MOSFET，具有更低的導(dǎo)通電阻和更快的開關(guān)速度。
　　1. 高效功率轉(zhuǎn)換：由于較低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
　　2. 熱性能優(yōu)異：優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)有助于熱量有效散發(fā)，延長(zhǎng)器件壽命。
　　3. 小型化設(shè)計(jì)：緊湊的封裝尺寸使它在空間受限的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　4. 可靠性高：經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試，確保長(zhǎng)期運(yùn)行的穩(wěn)定性。
　　5. 快速開關(guān)能力：能夠支持 MHz 級(jí)別的開關(guān)頻率，非常適合高頻 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

SQCB7M9R1BAJWE 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 服務(wù)器電源：提供高效、緊湊的電源解決方案。
　　2. 通信電源：如基站電源和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電。
　　3. 消費(fèi)類電子：快速充電器、適配器等。
　　4. 工業(yè)電源：例如不間斷電源 (UPS) 和 LED 驅(qū)動(dòng)器。
　　5. 新能源設(shè)備：光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)中的高頻功率轉(zhuǎn)換模塊。

SQCB7M9R1BAJXE, SQDB7M9R1BAJWE