SQCB7M8R2CAJME 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,適用于高頻和高功率密度的應(yīng)用場�。該芯片�(jié)合了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝與�(yōu)化的電路�(shè)�,能夠顯著降低開�(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
此型號通常用于電源管理�(lǐng)�,如�(shù)�(jù)中心服務(wù)�、通信基站、工�(yè)電源以及電動汽車充電�(shè)備等對能效要求極高的場合�
最大額定電壓:650V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)頻率范圍:高�(dá)5MHz
封裝形式:TO-247-3
SQCB7M8R2CAJME 的主要特點是其低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度。這些特性使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,同時降低了熱耗散需�。此外,該芯片內(nèi)置過流保護和熱關(guān)斷功�,確保在異常工作條件下的可靠��
GaN 材料的使用使其能夠在更高的溫度下�(wěn)定運行,并且相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 具有更好的效率表�(xiàn)。它的緊湊型�(shè)計也使得其非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 開關(guān)電源(SMPS�
3. 無線充電�(shè)�
4. 新能源汽車充電樁
5. �(shù)�(jù)中心高效電源模塊
6. 工業(yè)電機�(qū)動及逆變�
其卓越的性能特別適合需要高功率密度和高效率的現(xiàn)代電子系�(tǒng)�
SQCB7M8R2CAJMH, SQCB7M8R2CANLME