時間：2025/5/28 12:28:20
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SQCB7M820FAT1A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的功率 MOSFET 芯片，采用 N 溝道增強型技術(shù)。該芯片專為高效率、高性能的開關(guān)應(yīng)用設(shè)計，具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度，廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源管理、電機驅(qū)動、逆變器以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換等場景。
這款器件采用先進的封裝工藝，確保了其在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性，同時具備良好的熱性能表現(xiàn)。
型號：SQCB7M820FAT1A
類型：N 溝道 MOSFET
Vds（漏源電壓）：820V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：5.3Ω（典型值，25°C）
Id（持續(xù)漏極電流）：7.6A（Tc=25°C）
Qg（柵極電荷）：48nC（典型值）
EAS（雪崩能量）：95mJ
封裝形式：TO-247-3L
工作溫度范圍：-55°C 至 150°C
SQCB7M820FAT1A 具有以下顯著特性：
1. 極高的耐壓能力，最高可達 820V，適用于高壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），減少了功率損耗，提升了系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)特性，降低了開關(guān)損耗，并支持高頻操作。
4. 強大的雪崩能力，能夠承受異常情況下的過流或過壓沖擊。
5. 高溫穩(wěn)定性，在極端條件下仍能保持優(yōu)異性能。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計。
7. 提供 TO-247-3L 封裝，便于散熱處理并適合多種電路布局需求。
SQCB7M820FAT1A 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)級開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管。
2. 電機驅(qū)動電路，如步進電機、伺服電機等的控制。
3. 逆變器模塊，包括太陽能逆變器和其他高效能源轉(zhuǎn)換設(shè)備。
4. 各類 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，特別是在需要高輸入電壓的應(yīng)用中。
5. PFC（功率因數(shù)校正）電路中的關(guān)鍵元件。
6. 保護電路，例如電子負(fù)載保護或短路保護電路。
7. 開關(guān)式電磁閥驅(qū)動及大功率 LED 照明驅(qū)動。
FQA8N80C, IRF840
