SQCB7M430JATME500 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率管理應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高電流處理能力等特�(diǎn),適用于需要高效能和高可靠性的電路�(shè)�(jì)�
這種 MOSFET 通常用于直流-直流�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效功率切換的�(yīng)用場(chǎng)景中�
類型:MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4.3mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):78A
Qg(柵極電荷)�45nC
fT(過渡頻率)�1.9MHz
VGSS(柵源極電壓):±20V
Tj(工作結(jié)溫范圍)�-55� � 175�
功耗:310W
SQCB7M430JATME500 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少功率損�,提升效��
2. 高電流承載能�,支持大功率�(yīng)��
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在寬溫度范圍內(nèi)正常工作�
5. 高可靠性設(shè)�(jì),確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
這些特性使 SQCB7M430JATME500 成為許多高功率電子設(shè)備的理想選擇�
SQCB7M430JATME500 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 汽車電子系統(tǒng),例如電�(dòng)助力�(zhuǎn)向和制動(dòng)控制�
3. 通信電源中的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. 大功率電�(jī)�(qū)�(dòng)及逆變��
5. �(jì)算機(jī)和服�(wù)器中的電源管理模��
由于其優(yōu)異的性能,SQCB7M430JATME500 在需要高效率和高可靠性的�(huán)境中表現(xiàn)出色�
SQJE7M430JATME500, IRF7739TRPBF