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SQCB7M2R2BATME500 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 17:44:29 查看 閱讀:6

SQCB7M2R2BATME500 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率晶體管,專(zhuān)為高頻開(kāi)關(guān)和高能效應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用增強(qiáng)型 GaN HEMT 技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適合用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。
  這款晶體管封裝形式為表面貼裝(SMD),支持自動(dòng)化生產(chǎn)和焊接工藝。其內(nèi)置的保護(hù)功能增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性,并減少了外圍元件的需求。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:2.2A
  導(dǎo)通電阻:140mΩ
  柵極電荷:23nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:10ns
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
  封裝類(lèi)型:TO-252

特性

SQCB7M2R2BATME500 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))可顯著降低傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)能力使其適用于高頻操作環(huán)境,減少磁性元件體積并提高功率密度。
  3. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)機(jī)制,提高了器件在惡劣環(huán)境下的耐用性和穩(wěn)定性。
  4. 支持高溫運(yùn)行,能夠適應(yīng)嚴(yán)苛的工作條件,例如汽車(chē)電子或工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域。
  5. 小型化的 SMD 封裝簡(jiǎn)化了 PCB 布局設(shè)計(jì),同時(shí)有助于降低整體制造成本。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子設(shè)備中,具體如下:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管。
  2. 電動(dòng)車(chē)充電器、太陽(yáng)能逆變器以及其他新能源相關(guān)產(chǎn)品。
  3. 工業(yè)控制中的負(fù)載開(kāi)關(guān)與電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
  4. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器及 LED 驅(qū)動(dòng)器。
  5. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的適配器和快充模塊。

替代型號(hào)

SQJH9M2R2BATE500
  SQDB8M2R2BAUME500

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