SQCB7M220JATME500 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類�(kāi)�(guān)電路�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高頻和高效能要求的場(chǎng)��
其封裝形式為 TO-263(D2PAK�,具有出色的散熱性能和電氣穩(wěn)定�,適合大電流和高功率�(yīng)用環(huán)境�
型號(hào):SQCB7M220JATME500
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):200V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):7A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.24Ω(在 Vgs=10V �(shí)�
功耗:12W
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
SQCB7M220JATME500 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高效�,能夠顯著減少傳�(dǎo)損�。它還具備快速開(kāi)�(guān)能力,能夠滿足高頻開(kāi)�(guān)的應(yīng)用需��
該器件采用了�(yōu)化的溝槽�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),�(jìn)一步降低了 Rds(on),從而提高了整體系統(tǒng)效率�
此外,其良好的熱性能和電氣穩(wěn)定性使其非常適合在工業(yè)控制、汽車電子以及其他對(duì)可靠性要求較高的�(lǐng)域使��
該芯片還具有�(yōu)異的靜電防護(hù)能力(ESD Protection�,可以有效防止因靜電放電引起的損壞,提高�(chǎn)品可靠��
SQCB7M220JATME500 可用于多種電子電路設(shè)�(jì),包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supply)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替代方��
由于其高耐壓和大電流承載能力,該器件特別適合需要較高功率密度的�(shè)�(jì)�
SQJ220E, IRFZ44N, FQP27P06