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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SQ9945AEY-T1-E3

SQ9945AEY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 1:27:08 查看 閱讀�13

SQ9945AEY-T1-E3是一款高性能的MOSFET功率晶體管,適用于高頻率和高效率的開(kāi)�(guān)�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能,廣泛用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他電力電子�(shè)備中�
  這款芯片屬于增強(qiáng)型N溝道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOS�,能夠在高頻條件下提供高效的電流控制能力,同�(shí)保持較低的功��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�75nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=35ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

SQ9945AEY-T1-E3的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電�,僅�1.2毫歐,這使得它在大電流�(yīng)用場(chǎng)景下能夠顯著減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  此外,該器件還具備快速的�(kāi)�(guān)速度,柵極電荷僅�75納庫(kù)�,有助于降低�(kāi)�(guān)損�。其�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)提供了良好的散熱性能,確保在高溫�(huán)境下依然可以�(wěn)定運(yùn)��
  該芯片的工作溫度范圍非常寬廣,從-55攝氏度到175攝氏�,適合各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需�。同�(shí),其�(jiān)固的�(shè)�(jì)�(jié)�(gòu)和高�(zhì)量的材料選擇也增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性與耐用性�

�(yīng)�

SQ9945AEY-T1-E3廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
  由于其高�、可靠及耐高溫等特性,這款器件非常適合需要高功率密度和高效率的場(chǎng)��

替代型號(hào)

SQ9945BEY-T1-E3, IRFZ44N, FDP55N06L

sq9945aey-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sq9945aey-t1-e3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.7A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫歐 @ 3.7A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最�-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)