SQ4330EY-T1-GE3 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。該器件采用先進的制造工藝,具備低導通電阻和高開關(guān)速度的特點,適合于需要高效能和可靠性的應用場合。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)的整體效率。
類型:N溝道增強型 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):30A
導通電阻(Rds(on)):4.5mΩ (在 Vgs=10V 時)
柵極電荷(Qg):45nC
總功耗(Ptot):180W
結(jié)溫范圍(Tj):-55°C 至 +175°C
SQ4330EY-T1-GE3 具有以下顯著特點:
1. 極低的導通電阻 Rds(on),有助于減少傳導損耗,從而提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)性能,使得其非常適合高頻開關(guān)應用。
3. 強大的雪崩能力,增強了器件在異常條件下的耐受性。
4. 緊湊的封裝設(shè)計,便于集成到空間受限的設(shè)計中。
5. 支持高電流操作,滿足大功率應用需求。
6. 寬廣的工作溫度范圍,適應各種惡劣環(huán)境。
該型號 MOSFET 的典型應用包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)元件。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率級控制。
4. 電池保護和負載切換電路。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 通信設(shè)備中的高效功率傳輸組件。
SQ4330EY-T1-GA3, IRFZ44N, FDP55N06L