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SQ4284EY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/3/27 14:38:02 查看 閱讀�40

SQ4284EY-T1-GE3 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的效率與可靠性�
  這款器件的工作電壓范圍較�,適用于多種�(yīng)用場景,同時其封裝設(shè)計便于散�,�(jìn)一步提升了�(chǎn)品的使用壽命和穩(wěn)定性�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�75A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
  總功�(Ptot)�150W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

SQ4284EY-T1-GE3 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損�,從而提高系�(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,支持高�(dá) 75A 的連續(xù)漏極電流,適合大功率�(yīng)��
  3. 快速開�(guān)性能,降低開�(guān)損耗并提升高頻工作下的表現(xiàn)�
  4. 強大的散熱能�,得益于 TO-247-3 封裝�(shè)�,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運行�
  5. 寬工作溫度范� (-55°C � +175°C),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  6. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,減少開�(guān)噪聲并優(yōu)化動�(tài)性能�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

SQ4284EY-T1-GE3 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)元件�
  2. 各類電機�(qū)動電路中的功率開�(guān)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級組件�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 電動車及混合動力汽車的動力管理系�(tǒng)�
  6. 太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景�

替代型號

SQ4284EY-T1-G, SQ4284EY-T1-GE, IRF7844PBF

sq4284ey-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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