SQ27000SIC是一款基于碳化硅(SiC)技�(shù)的MOSFET功率器件,廣泛應(yīng)用于高電壓、高頻開�(guān)場景。該芯片�(jié)合了碳化硅材料的�(yōu)異性能,具備高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,適用于新能源汽�、光伏逆變器、服�(wù)器電源和工業(yè)電機�(qū)動等高要求領(lǐng)��
與傳�(tǒng)的硅基MOSFET相比,SQ27000SIC在高溫環(huán)境下具有更高的穩(wěn)定性和更低的能量損�,同時支持更小的系統(tǒng)尺寸和更高的工作頻率,從而優(yōu)化整體設(shè)計并提升系統(tǒng)性能�
型號:SQ27000SIC
類型:SiC MOSFET
VDS(漏源極電壓):1200V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�30mΩ
ID(持�(xù)漏電流)�27A
柵極電荷(Qg):95nC
輸入電容(Ciss):1460pF
輸出電容(Coss):80pF
反向恢復(fù)時間(trr):50ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
SQ27000SIC采用先進的碳化硅制造工�,具備以下顯著特點:
1. 高電壓耐受能力:支持高�(dá)1200V的工作電�,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 超低�(dǎo)通電阻:�30mΩ的RDS(on),有效降低傳�(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度:極低的柵極電荷和反向恢�(fù)時間,減少開�(guān)損耗并提高工作效率�
4. 寬溫操作范圍:從-55℃到+175℃的寬溫度區(qū)間確保其在極端條件下的可靠性�
5. 高頻工作能力:能夠以更高的頻率運�,減小無源元件體積,從而實�(xiàn)緊湊型設(shè)��
6. 零反向恢�(fù)電荷:無體二極管反向恢復(fù)問題,進一步改善系�(tǒng)效率�
這些特性使SQ27000SIC成為高性能功率�(zhuǎn)換和控制�(yīng)用的理想選擇�
SQ27000SIC主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 新能源汽車中的DC-DC�(zhuǎn)換器和車載充電器�
2. 光伏逆變器中用于高效能量�(zhuǎn)��
3. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源模�,提供更高的功率密度�
4. 工業(yè)電機�(qū)動,支持高頻PWM控制和快速動�(tài)響應(yīng)�
5. UPS不間斷電源系�(tǒng),增強系�(tǒng)的可靠性和效率�
6. 開關(guān)電源(SMPS)以及各種需要高壓大電流處理的應(yīng)用場景�
C2M0080120D, STPSC25N120, FGA2S27BD120B