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SPW47N60C3 發(fā)布時間 時間�2024/7/3 14:55:50 查看 閱讀�629

SPW47N60C3是一種功率MOSFET,由Infineon Technologies AG公司制�。它是一種低電阻、高效率的器�,能夠承受高�600V的電壓和47A的電�。它的應用范圍廣�,包括電機驅(qū)�、變頻器、太陽能逆變器和電源應用��
  操作理論方面,MOSFET是一種場效應晶體�,它的導電性能由電場控制。當施加一個正電壓到門極時,會在氧化層下形成一個電子通道,電子可以流�(jīng)通道并形成導電通路。這個通道的電導率可以被改�,從而控制電流的大小。SPW47N60C3的基本結(jié)�(gòu)是由多個PN�(jié)�(gòu)組成�,其中包括P型襯底、N型漏極區(qū)域和P型源極區(qū)�。當施加正電壓到門極時,會在P型源極和N型漏極區(qū)域之間形成一個電子通道,電子可以通過此通道流動�

基本�(jié)�(gòu)

SPW47N60C3是一種功率MOSFET器件,其基本�(jié)�(gòu)包括PN�(jié)、源漏極、柵極等三個區(qū)�。這三個區(qū)域構(gòu)成了MOSFET器件的通道,用于控制電流的流�。下面分別介紹這三個區(qū)域的具體�(jié)�(gòu)�
  1、PN�(jié):PN�(jié)是MOSFET器件的結(jié)�(gòu)基礎,由P型和N型半導體材料組成。PN�(jié)的主要作用是形成器件的漏極和源極,并通過控制柵極電壓來控制PN�(jié)的導通和截止�
  2、源漏極:源漏極是MOSFET器件的主要電�,通常由N型半導體材料制成。源漏極之間的距離稱為通道長度,通道長度的大小決定了MOSFET器件的導通電阻和開關(guān)速度。源漏極之間的電流流動方向稱為漏極電流�
  3、柵極:柵極是MOSFET器件的控制電極,通常由金屬或多晶硅等材料制成。柵極與源漏極之間的電壓稱為柵極源極電壓,通過控制柵極源極電壓可以控制MOSFET器件的導通和截止。柵極的�(jié)�(gòu)一般包括柵極氧化物、柵極金屬和接觸層等幾個部��

參數(shù)

額定電壓�600V
  額定電流�47A
  導通電阻:0.047Ω
  禁閉電阻�0.07Ω
  門極電荷:160nC
  動態(tài)阻抗�1.1mΩ
  封裝形式:TO-247

特點

1、低導通電阻:SPW47N60C3的導通電阻為0.047Ω,能夠降低功率損�,提高MOSFET的效��
  2、低反向漏電流:SPW47N60C3的反向漏電流非常�,能夠保證系�(tǒng)的穩(wěn)定性�
  3、高電壓能力:SPW47N60C3的額定電壓為600V,能夠滿足高壓應用的需��
  4、快速開�(guān)速度:SPW47N60C3的開�(guān)速度快,能夠減少開關(guān)損耗和EMI�
  5、高溫性能:SPW47N60C3能夠在高溫環(huán)境下工作,適用于高溫應用場合�

工作原理

SPW47N60C3的工作原理是基于MOSFET的電壓控制特�。當MOSFET的門極電壓高于閾值電壓時,MOSFET導�,當門極電壓低于閾值電壓時,MOSFET禁閉。通過控制門極電�,可以實�(xiàn)對MOSFET的導通和禁閉,從而控制電路的電流和功��

應用

SPW47N60C3適用于高速開�(guān)、高效率DC/DC�(zhuǎn)換器、電源管理和電機控制等領�。具體應用包括:
  1、電源管理應用:用于服務器、存儲設�、通信設備等高性能電源管理系統(tǒng)�
  2、電機控制應用:用于電機�(qū)動器、電機控制器等場��
  3、風�、太陽能�(fā)電系�(tǒng):用于直流到交流變換�、電池充電器等系�(tǒng)�

安裝要點

1、確定散熱器的規(guī)格和材料:根�(jù)所選MOSFET器件的功率和損耗計算所需散熱器的�(guī)格和材料。散熱器的材料一般選用鋁合金或銅材料,其表面應平整光�,以確保散熱效果�
  2、散熱器安裝:將散熱器固定在MOSFET器件的封裝上,并使用散熱硅脂或散熱膠進行固定,以保證散熱器與器件之間的良好接��
  3、接線:根據(jù)MOSFET器件的引腳圖進行接線,并使用合適的電纜進行連接,以確保連接良好�
  4、控制電路連接:將�(qū)動電路與MOSFET器件的柵極引腳連接,并使用合適的電纜進行連接,以確保連接良好�
  5、電路測試:在安裝完成后,進行電路測試,以確保器件正常工作,并且進行散熱測試,以確保散熱效果良好�

注意事項

1、MOSFET器件在工作時會產(chǎn)生一定的熱量,因此需要確保散熱效果良�,以防止器件過熱而損��
  2、在進行MOSFET器件的驅(qū)動電路設計時,需要考慮柵極電壓和電流的大小,以確保器件能夠正常工作�
  3、在MOSFET器件的安裝過程中,需要確保器件和散熱器之間的良好接觸,以確保散熱效果良好�
  4、在進行MOSFET器件的電路測試時,需要注意保護器件和電路,以防止電流過大或過壓等情況導致器件損壞�

spw47n60c3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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spw47n60c3資料 更多>

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spw47n60c3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SPW47N60C3
  • �(chǎn)品培訓模�CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 標準包裝240
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列CoolMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C47A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C70 毫歐 @ 30A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 2.7mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs320nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds6800pF @ 25V
  • 功率 - 最�415W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應商設備封�PG-TO247-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000013953SPW47N60C3INSPW47N60C3XSPW47N60C3XKSPW47N60C3XTINSPW47N60C3XTIN-ND