SPHE8202R-D-HL111 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。它適用于多種電源管理和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
型號(hào):SPHE8202R-D-HL111
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�45A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2mΩ(典型值,� Vgs=10V 下)
總功�(Ptot)�250W
工作溫度范圍(Top)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
SPHE8202R-D-HL111 的主要特性包括低�(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損�;具備出色的�(kāi)�(guān)性能,支持高頻操�;內(nèi)置靜電保�(hù)功能,提高了器件的可靠�;熱阻較�,有利于散熱管理;提供穩(wěn)健的短路耐受能力以確保在異常條件下的�(wěn)定��
此外,該芯片還采用了�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),便于安裝與散熱。其電氣性能�(yōu)�,特別適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用環(huán)��
SPHE8202R-D-HL111 廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、逆變器以及負(fù)載切換電路等�(chǎng)合。在這些�(yīng)用中,它可以�(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換和精確的電流控�,從而滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)能源效率和穩(wěn)定性的要求�
SPHE8201R-D-HL111, IRF840, STP120NF06L