SPEF210200 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率電子元件,專為高頻開關(guān)和高效率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高耐壓能力,廣泛適用于電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC變換器和通信設(shè)備等領(lǐng)域。其封裝形式通常為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和系統(tǒng)集成。
該芯片采用增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(e-mode GaN FET)技術(shù),能夠顯著提高系統(tǒng)的功率密度和降低損耗,從而實(shí)現(xiàn)更小體積和更高性能的設(shè)計(jì)。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:2A
導(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷:4nC
反向恢復(fù)時(shí)間:10ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃
SPEF210200 的主要特性包括:
1. 高效的氮化鎵技術(shù),具備更低的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。
2. 優(yōu)化的熱性能,可確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景中的穩(wěn)定運(yùn)行。
3. 內(nèi)置保護(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保護(hù),增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性。
4. 快速開關(guān)速度,支持高達(dá)幾兆赫茲的工作頻率,適合高頻應(yīng)用。
5. 小型化設(shè)計(jì),采用緊湊的封裝形式,減少了PCB空間占用。
6. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境條件。
SPEF210200 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),例如適配器、充電器等。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,用于汽車電子、工業(yè)控制等場(chǎng)景。
3. 通信電源,如基站電源模塊。
4. 太陽能逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換部分。
5. LED驅(qū)動(dòng)電路及其他需要高頻高效功率處理的場(chǎng)合。
SPEF210150
SPEF210300
GS66508T