SPD06N80C3是一款由ON Semiconductor(安森美)生�(chǎn)的高壓功率MOSFET。該器件采用N溝道增強(qiáng)型MOSFET技�(shù),適用于高電壓和高效率應(yīng)用場�。其額定電壓�800V,能夠提供出色的開關(guān)性能和較低的�(dǎo)通電�,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性。SPD06N80C3廣泛用于工業(yè)和消費類電子�(lǐng)域中的電源轉(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)動以及開�(guān)模式電源(SMPS)等場景�
該器件封裝形式為TO-247,支持表面貼裝或插件安裝方式,便于散熱設(shè)計和集成到復(fù)雜電路系�(tǒng)�。由于其高耐壓能力,SPD06N80C3在需要承受高電壓�(yīng)力的�(yīng)用中表現(xiàn)出色,例如PFC(功率因�(shù)校正)電�、逆變器及太陽能逆變器等�(lǐng)域�
類型:N溝道MOSFET
額定電壓�800V
額定電流�6A
�(dǎo)通電阻(最大值)�3.5Ω(在Vgs=10V時)
柵極電荷�35nC
輸入電容�1350pF
總功耗:18W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
SPD06N80C3具有以下顯著特性:
1. 高電壓承受能�,達(dá)�800V,適合高壓環(huán)境下的開�(guān)�(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻(典型值為3.5Ω�,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗,提升整體性能�
4. 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,在高溫條件下仍能保持可靠的運行�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 封裝形式為TO-247,具備優(yōu)秀的散熱性能,適合大功率�(yīng)用場��
7. 具有較高的雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒��
SPD06N80C3因其高電壓特性和低導(dǎo)通電�,非常適合以下應(yīng)用:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC�(zhuǎn)換器和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 功率因數(shù)校正(PFC)電�,用于提升電源效率和電網(wǎng)兼容��
3. 電機(jī)�(qū)動器,用于工�(yè)自動化設(shè)備和家用電器�
4. 太陽能逆變器和�(fēng)能逆變�,用于可再生能源�(fā)電系�(tǒng)�
5. UPS(不間斷電源)系�(tǒng),提供穩(wěn)定的電力輸出�
6. 各種高壓開關(guān)�(yīng)�,如電磁閥控制和固態(tài)繼電器�
7. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的高壓組�,例如車載充電器和逆變器模��
FDP06N80C, IRFBG30N80KDTRPBF, STW80NM60K5