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SPA11N80C3 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 14:23:53 查看 閱讀�23

SPA11N80C3 是一款高性能� N 沃特型功� MOSFET,采� DPAK 封裝形式。這款芯片專為高效率和高頻率應用而設(shè)�,廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)域�
  該器件具有較低的導通電阻和快速的開關(guān)特�,可顯著提高系統(tǒng)能效并減少發(fā)熱問��

參數(shù)

型號:SPA11N80C3
  VDS(漏源電壓)�80V
  RDS(on)(導通電阻)�16mΩ(典型�,在 VGS=10V 時)
  ID(連續(xù)漏極電流):25A
  Qg(總柵極電荷):40nC
  fBS(體二極管正向壓降)�1.1V
  EAS(雪崩能量)�1.1J
  封裝形式:DPAK(TO-252�

特�

SPA11N80C3 的主要特點是其低導通電阻和�(yōu)異的熱性能。它能夠有效降低傳導損�,從而提高整體系�(tǒng)效率。此�,該芯片還具備以下特點:
  - 快速開�(guān)速度,適合高頻應�
  - 高雪崩能量能�,確保在異常情況下具備更高的可靠�
  - 較低的柵極電荷,有助于減少驅(qū)動功�
  - 緊湊型表面貼裝封�,便� PCB �(shè)計和自動化生�(chǎn)
  - 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛

應用

該芯片適用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
  - 開關(guān)模式電源 (SMPS)
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  - 電機控制和驅(qū)�
  - 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)�
  - 各類工業(yè)自動化設(shè)�
  - 家用電器中的高效功率管理模塊

替代型號

IPA11N80C3
  STP11NM80C3
  IRFZ44N

spa11n80c3推薦供應� 更多>

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spa11n80c3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SPA11N80C3
  • �(chǎn)品培訓模�CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 標準包裝500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列CoolMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C450 毫歐 @ 7.1A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 680µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs85nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1600pF @ 100V
  • 功率 - 最�41W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應商設(shè)備封�PG-TO220-FP
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000216320SPA11N80C3INSPA11N80C3XSPA11N80C3XKSPA11N80C3XTINSPA11N80C3XTIN-ND