SPA11N80C3 是一款高性能� N 沃特型功� MOSFET,采� DPAK 封裝形式。這款芯片專為高效率和高頻率應用而設(shè)�,廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)域�
該器件具有較低的導通電阻和快速的開關(guān)特�,可顯著提高系統(tǒng)能效并減少發(fā)熱問��
型號:SPA11N80C3
VDS(漏源電壓)�80V
RDS(on)(導通電阻)�16mΩ(典型�,在 VGS=10V 時)
ID(連續(xù)漏極電流):25A
Qg(總柵極電荷):40nC
fBS(體二極管正向壓降)�1.1V
EAS(雪崩能量)�1.1J
封裝形式:DPAK(TO-252�
SPA11N80C3 的主要特點是其低導通電阻和�(yōu)異的熱性能。它能夠有效降低傳導損�,從而提高整體系�(tǒng)效率。此�,該芯片還具備以下特點:
- 快速開�(guān)速度,適合高頻應�
- 高雪崩能量能�,確保在異常情況下具備更高的可靠�
- 較低的柵極電荷,有助于減少驅(qū)動功�
- 緊湊型表面貼裝封�,便� PCB �(shè)計和自動化生�(chǎn)
- 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛
該芯片適用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于:
- 開關(guān)模式電源 (SMPS)
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
- 電機控制和驅(qū)�
- 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)�
- 各類工業(yè)自動化設(shè)�
- 家用電器中的高效功率管理模塊
IPA11N80C3
STP11NM80C3
IRFZ44N