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SNJ55121J 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 9:19:14 查看 閱讀�37

SNJ55121J 是一款高性能、低功耗的 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有高擊穿電壓、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度等特�(diǎn),適用于多種電力電子�(yīng)�。其出色的性能使其成為電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載切換等�(chǎng)景的理想選擇�
  SNJ55121J 通過(guò)�(yōu)化設(shè)�(jì)降低了導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損�,從而提高了整體系統(tǒng)效率。同�(shí),它具備良好的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定的性能�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源極電壓(Vds)�60V
  最大柵源極電壓(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  柵極電荷(Qg)�48nC
  輸入電容(Ciss)�1750pF
  輸出電容(Coss)�35pF
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=9ns,toff=12ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

SNJ55121J 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力�60V 的最大漏源極電壓,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:� Vgs=10V �(shí),導(dǎo)通電阻僅� 4mΩ,有助于降低�(dǎo)通損��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能:短�(kāi)�(guān)�(shí)間(ton=9ns,toff=12ns�,減少開(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損��
  4. 大電流承載能力:支持高達(dá) 30A 的持�(xù)漏極電流,滿足大功率�(yīng)用需求�
  5. 寬工作溫度范圍:-55� � +175�,適合極端環(huán)境下的使��
  6. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):優(yōu)秀的散熱性能和可靠�,延�(zhǎng)器件壽命�
  7. 抗靜電能力:人體模型 (HBM) � 2000V,機(jī)器模� (MM) � 200V,提高抗干擾能力�

�(yīng)�

SNJ55121J 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  3. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  5. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng) (BMS)�
  6. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換組��

替代型號(hào)

SNJ55120P, IRF540N, FDP55N06L

snj55121j推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • 詢價(jià)