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SN74ALS563B 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 13:45:34 查看 閱讀：9

SN74ALS563B 是一款高性能的同步靜態(tài) RAM (SSRAM) 芯片，采用高級(jí)低功耗肖特基 (ALS) 技術(shù)制造。它具有高開(kāi)關(guān)速度和較低的功耗特性，非常適合用于需要快速數(shù)據(jù)存取和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　該芯片主要用作小型存儲(chǔ)器緩沖區(qū)或臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案，能夠提供穩(wěn)定的數(shù)據(jù)保存功能，并支持同步操作以確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)囊恢滦院涂煽啃浴?/p>

參數(shù)

邏輯類型：雙端口RAM
　　存儲(chǔ)容量：256 x 8位
　　工作電壓(VCC)：4.5V 至 5.5V
　　傳播延遲時(shí)間(tPLH/tPHL)：18ns（典型值）
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +125°C
　　封裝形式：DIP-20, PDIP-20, SOIC-20
　　輸入電流(IIL)：-400μA（最大值）
　　輸出電流(IIH)：16μA（最大值）

特性

SN74ALS563B 具備以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 高速性能：由于采用了 ALS 工藝，其傳播延遲時(shí)間僅為 18ns，可滿足高頻應(yīng)用需求。
　　2. 低功耗設(shè)計(jì)：在保持高速性能的同時(shí)大幅降低了靜態(tài)功耗。
　　3. 寬工作電壓范圍：能夠在 4.5V 至 5.5V 的電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，適應(yīng)性更強(qiáng)。
　　4. 雙端口結(jié)構(gòu)：允許同時(shí)通過(guò)兩個(gè)獨(dú)立端口訪問(wèn)存儲(chǔ)單元，提高系統(tǒng)效率。
　　5. 廣泛的工作溫度范圍：適用于工業(yè)及軍事級(jí)別的極端環(huán)境條件。
　　6. 多種封裝選擇：提供 DIP、PDIP 和 SOIC 等多種封裝形式，便于不同應(yīng)用場(chǎng)景下的使用。

應(yīng)用

SN74ALS563B 常見(jiàn)于以下領(lǐng)域和應(yīng)用：
　　1. 數(shù)據(jù)緩沖和暫存：用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備和其他電子系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)緩沖。
　　2. 實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集：在需要快速數(shù)據(jù)處理的實(shí)時(shí)系統(tǒng)中作為臨時(shí)存儲(chǔ)。
　　3. 嵌入式系統(tǒng)：在嵌入式控制器中用作小型存儲(chǔ)器。
　　4. 數(shù)字信號(hào)處理：配合 DSP 芯片完成高效的數(shù)字信號(hào)計(jì)算任務(wù)。
　　5. 工業(yè)控制：適用于對(duì)可靠性和環(huán)境適應(yīng)能力要求較高的工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)。

替代型號(hào)

SN74LS563N, SN74HC563B, SN74F563N

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