SN54ABT162245 是一款高� CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)� (SRAM),具� 16K x 18 的存�(chǔ)容量。該芯片采用先�(jìn)的亞微米 CMOS 技�(shù)制�,能夠在低功耗下提供高性能的運(yùn)�。它支持快速訪�(wèn)�(shí)�,并具有高可靠�,適用于各種需要高效數(shù)�(jù)處理和存�(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景�
這款 SRAM 具有單一供電電壓,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì),同�(shí)�(nèi)置了自動(dòng)電源管理功能以減少不必要的功�。此�,SN54ABT162245 還支持同步寫(xiě)入和讀取操�,能夠與多種�(shù)字系�(tǒng)兼容�
存儲(chǔ)容量�16K x 18�
訪問(wèn)�(shí)間:10 ns
供電電壓�5V
工作溫度范圍�-55°C � +125°C
封裝類型�48 引腳陶瓷扁平封裝 (CERDIP)
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:�(wú)�
接口類型:同�
SN54ABT162245 提供了以下顯著特性:
1. 高速性能:具備極低的訪問(wèn)�(shí)間(10ns),可滿足實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理需��
2. 高密度存�(chǔ)�16K x 18 的大容量存儲(chǔ)空間適合�(fù)雜的�(shù)�(jù)緩存和暫存應(yīng)��
3. 寬溫范圍:能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定工作,適用于工�(yè)和軍事領(lǐng)��
4. 單一供電:僅需一�(gè) 5V 電源即可�(yùn)�,降低了電源�(shè)�(jì)�(fù)雜度�
5. 自動(dòng)省電模式:在空閑狀�(tài)下可以自�(dòng)降低功�,延�(zhǎng)�(shè)備使用壽��
6. 可靠性高:采� CMOS 技�(shù)制造,具有較強(qiáng)的抗干擾能力及長(zhǎng)壽命特點(diǎn)�
SN54ABT162245 廣泛�(yīng)用于�(duì)存儲(chǔ)速度和穩(wěn)定性要求較高的�(chǎng)合,包括但不限于�
1. 工業(yè)控制�(shè)備:� PLC、DCS 等需要高速緩存和臨時(shí)存儲(chǔ)的系�(tǒng)�
2. �(cè)試測(cè)�?jī)x器:示波�、頻譜分析儀等精密測(cè)量設(shè)備中的數(shù)�(jù)緩沖�
3. 軍事與航空航天:雷達(dá)系統(tǒng)、導(dǎo)航設(shè)備中需要在極端�(huán)境下工作的存�(chǔ)模塊�
4. �(yī)療設(shè)備:� CT 掃描儀、超聲波�(shè)備中的圖像處理和存儲(chǔ)組件�
5. 通信�(shè)備:交換�(jī)、路由器中的�(shù)�(jù)包緩存和臨時(shí)存儲(chǔ)區(qū)域�
SN74ABT162245