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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SMUN5114T1G

SMUN5114T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 13:03:13 查看 閱讀�22

SMUN5114T1G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采� TO-263 封裝形式。該器件廣泛用于功率�(zhuǎn)換、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定性�
  � MOSFET 的設(shè)�(jì)特點(diǎn)在于其高雪崩耐量能力和低柵極電荷特�,使其在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�78A
  �(dǎo)通電阻:1.4mΩ
  柵源�(kāi)啟電壓:4V
  總功耗:225W
  工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�

特�

SMUN5114T1G 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率�
  2. 高雪崩能量能�,確保在異常條件下具備更�(qiáng)的魯棒��
  3. 低柵極電� (Qg),可�(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度和更高的工作頻率�
  4. 良好的熱性能和電氣性能,適用于�(yán)苛的工作�(huán)境�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

SMUN5114T1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器中的功率級(jí)�(kāi)�(guān)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控��
  4. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)�
  5. 大功� LED �(qū)�(dòng)電路�
  6. 各種需要高效功率管理的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRF7739PBF, STP75NE06LC6, FDP16N06L

smun5114t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

smun5114t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列*