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SM8S33AHE3/2D 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 17:30:17 查看 閱讀�32

SM8S33AHE3/2D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的場景。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其封裝形式通常為TO-220或TO-252,便于散熱和安裝�
  該型號中�'HE3/2D'可能代表特定的封裝或性能等級,具體需參考廠商的技�(shù)手冊�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ(典型值)
  總功�(Ptot)�90W
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝:TO-220, TO-252

特�

SM8S33AHE3/2D 具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻:該器件在典型工作條件下具有非常低的Rds(on),可以有效減少導(dǎo)通損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度:由于其�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,SM8S33AHE3/2D 可以實現(xiàn)快速的開關(guān)切換,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 高可靠性:該器件能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能,并且具有較高的抗雪崩能��
  4. 緊湊型封裝:支持多種�(biāo)�(zhǔn)封裝形式,方便用戶根�(jù)實際需求�(jìn)行選�,同時簡化了PCB布局�(shè)��
  5. 低寄生電感:�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)減少了寄生效�(yīng),�(jìn)一步提升了器件的開�(guān)性能和穩(wěn)定��
  這些特性使其非常適合用于高效率功率�(zhuǎn)換電路以及對熱管理和空間有限制的�(yīng)用場��

�(yīng)�

SM8S33AHE3/2D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):包括適配器、充電器和工�(yè)電源��
  2. 電機�(qū)動:如家用電器中的風(fēng)�、泵和其他小型電機控��
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器:適用于汽車電子、通信�(shè)備和消費類電子產(chǎn)品中的電壓調(diào)節(jié)模塊�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電動汽車和儲能系統(tǒng)的保�(hù)和能量管��
  5. LED�(qū)動器:提供高效穩(wěn)定的電流輸出以驅(qū)動大功率LED照明�
  6. 工業(yè)自動化:例如PLC控制�、傳感器接口和其他工�(yè)級應(yīng)用�
  憑借其�(yōu)異的性能表現(xiàn),SM8S33AHE3/2D 成為許多工程師在�(shè)計功率管理相�(guān)�(chǎn)品時的首選方案�

替代型號

SM8S33AHG2/2D, IRF540N, FDP5500

sm8s33ahe3/2d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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sm8s33ahe3/2d參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�TVS 二極� - 瞬態(tài)電壓抑制�
  • 極�Unidirectional
  • 通道1 Channel
  • 鉗位電壓53.3 V
  • 工作電壓33 V
  • 封裝 / 箱體DO-218AB
  • 擊穿電壓36.7 V to 40.6 V
  • 端接類型SMD/SMT
  • 峰值浪涌電�124 A
  • 峰值脈沖功率耗散6600 W
  • 最大工作溫�+ 175 C
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 封裝Reel
  • 尺寸8.7 mm W x 13.7 mm L x 5 mm H
  • 系列SM8S
  • 工廠包裝�(shù)�750