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時(shí)間：2025/5/23 20:37:15
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SM6T130A 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效率功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、充電器和適配器等領(lǐng)域。該芯片具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，能夠在高頻工作條件下提供更高的效率和更小的體積設(shè)計(jì)。此外，SM6T130A 內(nèi)置了多重保護(hù)功能，包括過流保護(hù)、過熱保護(hù)等，以確保在復(fù)雜應(yīng)用環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。
這款芯片特別適用于需要高功率密度和高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景，例如 USB PD 快充頭、LED 驅(qū)動(dòng)電源以及各類消費(fèi)類電子設(shè)備的電源解決方案。
類型：功率開關(guān)管
材料：氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓：650V
最大連續(xù)漏極電流：3.8A
導(dǎo)通電阻（典型值）：130mΩ
柵極電荷：42nC
開關(guān)頻率范圍：高達(dá) 2MHz
封裝形式：TO-252（DPAK）
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
SM6T130A 的主要特點(diǎn)是采用了先進(jìn)的 GaN 技術(shù)，具備超低的導(dǎo)通電阻和極快的開關(guān)速度。相比傳統(tǒng)的硅基 MOSFET，該芯片可以顯著降低開關(guān)損耗并提升系統(tǒng)效率。
同時(shí)，它支持高頻工作模式，允許使用更小尺寸的磁性元件和濾波電容，從而減少整體方案的體積和重量。另外，內(nèi)置的多重保護(hù)機(jī)制使得其更加可靠，能夠適應(yīng)各種復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景。
該器件還擁有較高的耐壓能力（650V），可以輕松應(yīng)對(duì)寬輸入電壓范圍的應(yīng)用需求。綜合來看，SM6T130A 是一種性能優(yōu)越、設(shè)計(jì)靈活的功率開關(guān)器件。
SM6T130A 廣泛用于需要高效率和高頻工作的電力電子設(shè)備中，具體應(yīng)用包括：
1. USB-PD 快速充電器
2. 消費(fèi)類 AC-DC 適配器
3. 小型化 LED 照明驅(qū)動(dòng)電源
4. 工業(yè)級(jí) DC-DC 轉(zhuǎn)換器
5. 筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備的電源模塊
6. 高頻諧振轉(zhuǎn)換器（如 LLC 或 PFC）
7. 各種中小功率級(jí)別的電源解決方案
STGAP100H
Nexperia PPG100R065JEXA
GaN Systems GS66508B
