SK75GD12T4T 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的功率晶體管,專為高�、高效能的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用了增�(qiáng)型常閉模� (e-mode) 的氮化鎵高電子遷移率晶體� (HEMT) 技�(shù),能夠提供卓越的�(kāi)�(guān)性能和較低的�(dǎo)通電�,從而顯著提升系�(tǒng)效率�
其封裝形式為 TO-252 (DPAK),具有較高的熱性能和電氣性能,非常適合于高密度功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。這款芯片廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源 (SMPS)、DC-DC �(zhuǎn)換器、PFC(功率因�(shù)校正)電路以及其他需要高性能功率管理的場(chǎng)��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:120mΩ
柵極閾值電壓:2.5V
�(kāi)�(guān)速度:超高�
工作溫度范圍�-55� � 150�
1. 基于先�(jìn)的氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體技�(shù),提供更高的�(kāi)�(guān)頻率和更低的�(kāi)�(guān)損��
2. 具有低導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 支持高達(dá) 600V 的漏源電�,適合多種高壓應(yīng)用場(chǎng)��
4. 封裝緊湊且散熱性能�(yōu)�,有助于�(jiǎn)� PCB �(shè)�(jì)并提升系�(tǒng)的功率密度�
5. �(nèi)置保�(hù)功能,如�(guò)溫保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了器件的可靠性�
6. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
1. �(kāi)�(guān)電源 (Switching Mode Power Supplies, SMPS)
2. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路
4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率級(jí)
5. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的車載充電器
6. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)� UPS 系統(tǒng)
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器
SK75GD12T4,
SK75GD12T4G