SJD12A09L01是一款高性能的MOSFET功率晶體管,廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等電力電子�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
其封裝形式通常為TO-220,便于散熱設(shè)�(jì),同�(shí)支持表面貼裝和插件安裝方�,適�(yīng)多種�(yīng)用需求�
型號(hào):SJD12A09L01
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
Vds(漏源極電壓):650V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�90mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):12A
功耗:135W
柵極電荷�25nC
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
1. 高耐壓能力,Vds高達(dá)650V,適用于高壓�(huán)境下的各種電��
2. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),僅�90mΩ,在大電流條件下可以減少功率損��
3. 快速開�(guān)性能,柵極電荷低�25nC,能夠提高系�(tǒng)的工作頻率并降低開關(guān)損��
4. 良好的熱性能,具備較高的�(jié)溫容限(最高可�(dá)150℃),確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 寬泛的工作溫度范�,從-55℃到+150�,滿足極端條件下的使用要��
6. 封裝形式為TO-220,易于集成到�(xiàn)有的PCB�(shè)�(jì)中,并提供可靠的�(jī)械和電氣連接�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
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SJD12A09L02, IRF840, STP12NK65Z