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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 14:46:54 查看 閱讀�20

SIZF906DT-T1-GE3 是一款基于硅技�(shù)制造的高速整流二極管,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。它具有較低的正向電壓降和快速恢�(fù)�(shí)�,適用于各種電力電子�(shè)備中的整�、保�(hù)及逆變功能�
  該型�(hào)是工�(yè)�(jí)�(chǎn)品,通常用于需要高可靠性和�(wěn)定性的�(chǎng)�。其封裝形式� DO-214AC(也稱為 SMC 封裝),這種封裝提供了良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定��

參數(shù)

最大重�(fù)峰值反向電壓:60V
  最大直流阻斷電壓:60V
  最大平均正向整流電流:1.5A
  最大正向浪涌峰值電流:35A
  典型正向電壓降:0.7V
  最大正向電壓降�1.1V
  典型反向恢復(fù)�(shí)間:35ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
  存儲(chǔ)溫度范圍�-65� � +175�

特�

SIZF906DT-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 快速反向恢�(fù)�(shí)間,適合高頻�(kāi)�(guān)電路�
  2. 較低的正向壓降能夠減少功率損耗并提高效率�
  3. 高浪涌電流能力使其能承受瞬態(tài)�(guò)載情��
  4. 工業(yè)�(jí)溫度范圍確保在惡劣環(huán)境下的可靠��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
  6. DO-214AC (SMC) 封裝提供�(jiān)固耐用的結(jié)�(gòu)以及�(yōu)秀的熱傳導(dǎo)性能�

�(yīng)�

該二極管廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源中的整流與保�(hù)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器和逆變器中的續(xù)流二極管�
  3. 通信�(shè)備中的高頻整��
  4. 太陽(yáng)能逆變器和 LED �(qū)�(dòng)器中的關(guān)鍵組��
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻電��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的輔助電源模塊�

替代型號(hào)

SIZF906D-TP, SIZF906DT

sizf906dt-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sizf906dt-t1-ge3�(chǎn)�

sizf906dt-t1-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�16,169�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �13.28000剪切帶(CT�3,000 : �5.63282卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 �(gè) N 通道(半橋)
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss�30V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)60A(Tc�
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)3.8 毫歐 @ 15A�10V�1.17 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)22nC @ 4.5V�92nC @ 4.5V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)2000pF @ 15V�8200pF @ 15V
  • 功率 - 最大�38W(Tc��83W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TA�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerWDFN
  • 供應(yīng)商器件封�8-PowerPair?�6x5�