SISH108DN-T1-GE3 是一款來(lái)� Vishay � N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),具有出色的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能,適用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。它采用� TO-263 (DPAK) 封裝形式,具備良好的散熱特性和緊湊�(shè)�(jì),適合多種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(yīng)用�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�9.7A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�22nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:典型� t_on=12ns,t_off=25ns
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
SISH108DN-T1-GE3 使用 Vishay 的先�(jìn) TrenchFET 技�(shù)制造,能夠在低電壓�(yīng)用中提供非常低的�(dǎo)通電�,從而降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
該器件還具有較低的柵極電荷和輸出電荷,有助于�(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度和更低的�(kāi)�(guān)損耗�
其封裝形式(TO-263)提供了�(yōu)異的熱性能,并且便于表面貼裝工藝中的使��
SISH108DN-T1-GE3 在高頻率操作下的表現(xiàn)尤為突出,非常適� DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)�(diào)節(jié)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及電池供電設(shè)備等�(yīng)用領(lǐng)域�
這款 MOSFET 主要用于需要高效功率管理的�(chǎng)�,包括但不限于以下應(yīng)用:
- �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS)
- DC/DC �(zhuǎn)換器
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
- 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載切�
- 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的功率控制
- LED 照明�(qū)�(dòng)電路
SIPH108DN-T1-GE3, SIH108DN-E3, IRF7745PBF