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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SIS468DN-T1-GE3

SIS468DN-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 8:57:21 查看 閱讀�19

SIS468DN-T1-GE3 是一款高精度、低功耗的溫度傳感器芯�,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消�(fèi)電子以及�(yī)療設(shè)備領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的硅基傳感技�(shù),具有極高的�(cè)量準(zhǔn)確性和�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)提供可靠的性能表現(xiàn)。其封裝形式為小型化�(shè)�(jì),適合對(duì)空間要求�(yán)格的�(chǎng)��

參數(shù)

供電電壓�2.7V � 5.5V
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  分辨率:0.0625°C
  典型功耗:180μA(在3V供電下)
  接口類型:I2C/SMBus
  封裝形式:TDFN-8�2mm x 2mm�

特�

SIS468DN-T1-GE3 提供了卓越的溫度檢測(cè)能力,并且具備以下主要特�(diǎn)�
  1. 高精度:在整�(gè)工作溫度范圍�(nèi),誤差小于�0.5°C�
  2. 快速響�(yīng)�(shí)間:?jiǎn)�?dòng)到穩(wěn)定輸出的�(shí)間低�250ms�
  3. 可配置報(bào)警功能:支持高低溫閾值設(shè)定,允許用戶自定義警�(bào)觸發(fā)條件�
  4. 節(jié)能模式:�(nèi)置關(guān)斷模式可將待�(jī)功耗降低至2μA以下�
  5. 小型化封裝:TDFN-8 封裝尺寸僅為2x2mm,便于集成到緊湊型系�(tǒng)��
  6. 多地址選擇:通過引腳�(shè)置支持多�(dá)8�(gè)不同的從�(jī)地址,方便多芯片�(jí)�(lián)�(yīng)��

�(yīng)�

SIS468DN-T1-GE3 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
  1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的過熱保�(hù)和散熱管��
  2. �(yī)療設(shè)備中的精確體溫監(jiān)�(cè)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的�(huán)境溫度監(jiān)��
  4. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器及�(wǎng)�(luò)�(shè)備的熱管��
  5. 家用電器如空�(diào)、冰箱等的溫度調(diào)節(jié)模塊�
  6. 電池管理系統(tǒng)中的溫度�(bǔ)償功��
  由于其出色的性能和靈活�,該芯片可以滿足多種行業(yè)的嚴(yán)格需求�

替代型號(hào)

TMP117MIDGZR
  MAX31875ASA+T
  LM75AIDR

sis468dn-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sis468dn-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

sis468dn-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19.5 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs28nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds780pF @ 40V
  • 功率 - 最�52W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? 1212-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIS468DN-T1-GE3TR