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SIS438DN-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/26 21:05:38 查看 閱讀：10

SIS438DN-T1-GE3 是一款由 SiT（Silicon Labs）生產(chǎn)的高性能 MEMS 振蕩器，主要應(yīng)用于對(duì)頻率穩(wěn)定性、低抖動(dòng)和可靠性能要求較高的系統(tǒng)中。這款振蕩器基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)制造，具有卓越的抗振動(dòng)和抗沖擊能力，相較于傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器更加穩(wěn)定且體積更小。
　　該型號(hào)支持工業(yè)級(jí)工作溫度范圍，能夠提供多種輸出信號(hào)格式（如 CMOS 和 LVPECL），并具備可編程頻率功能，方便用戶(hù)根據(jù)實(shí)際需求靈活配置。

參數(shù)

頻率：2.3MHz~230MHz
　　電源電壓：1.8V, 2.5V, 或 3.3V
　　負(fù)載電容：無(wú)需外部負(fù)載電容
　　封裝類(lèi)型：3.2 x 2.5 mm DFN 封裝
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　相位抖動(dòng)：典型值 0.8 ps RMS
　　上升/下降時(shí)間：約 1 ns
　　啟動(dòng)時(shí)間：小于 1 ms

特性

SIS438DN-T1-GE3 的核心優(yōu)勢(shì)在于其采用了先進(jìn)的 MEMS 技術(shù)，這使得它在多個(gè)方面優(yōu)于傳統(tǒng)晶體振蕩器：
　　1. 高度可靠的抗振動(dòng)和抗沖擊能力，適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)用；
　　2. 提供極低的相位抖動(dòng)，確保信號(hào)完整性；
　　3. 支持寬范圍頻率選擇，并可以通過(guò)軟件進(jìn)行精確調(diào)整；
　　4. 工業(yè)級(jí)別的溫度范圍適應(yīng)性使其適用于各種苛刻條件下的設(shè)備；
　　5. 小型化設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了 PCB 布局并節(jié)省空間；
　　6. 內(nèi)置完整的振蕩電路，減少對(duì)外部元件的需求，從而提高整體可靠性。

應(yīng)用

由于其出色的性能，SIS438DN-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備，例如路由器、交換機(jī)等需要高精度時(shí)鐘源的產(chǎn)品；
　　2. 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器控制器和 RAID 子系統(tǒng)；
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化控制裝置，如 PLC、DCS 等；
　　4. 醫(yī)療電子儀器，例如超聲波設(shè)備和其他診斷工具；
　　5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的導(dǎo)航模塊與信息娛樂(lè)單元；
　　6. 軍事及航天領(lǐng)域中的雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通訊終端等。

替代型號(hào)

SIS438DN-T1-GM3, SIOSP438DN-T1-GE3

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sis438dn-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C16A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫歐 @ 10A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds880pF @ 10V
  • 功率 - 最大27.7W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? 1212-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)SIS438DN-T1-GE3-NDSIS438DN-T1-GE3TR