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SIS434DN-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 12:53:37 查看 閱讀�20

SIS434DN-T1-GE3 是一款高精度、低噪聲的運(yùn)算放大器,專為需要高�(wěn)定性和高性能的應(yīng)用而設(shè)�(jì)。其采用先�(jìn)的CMOS工藝制造,能夠在寬溫度范圍�(nèi)提供�(wěn)定的增益和低失調(diào)電壓特��
  該芯片通常用于信號(hào)�(diào)理電路、傳感器接口以及音頻處理等領(lǐng)域。它具有出色的電源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR�,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下仍能保持�(yōu)異性能�

參數(shù)

供電電壓:�2.5V � ±18V
  輸入失調(diào)電壓:最� 0.5mV
  開環(huán)增益:最� 10^6
  帶寬�10MHz
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  封裝形式:SOIC-8

特�

SIS434DN-T1-GE3 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高精度與低漂移:該器件通過�(nèi)部補(bǔ)償技�(shù)�(shí)�(xiàn)了極低的輸入失調(diào)電壓和溫度漂�,非常適合精密測量應(yīng)��
  2. 寬工作電壓范圍:支持從雙電源 ±2.5V � ±18V 的廣泛電壓范�,使�(shè)�(jì)更加靈活�
  3. 超低噪聲:典型值為 5nV/√Hz,確保在敏感信號(hào)處理中提供清晰的�(jié)果�
  4. � CMRR � PSRR:分別達(dá)� 120dB � 100dB,有效減少外部干擾對(duì)系統(tǒng)的影響�
  5. 寬溫度范圍:能夠適應(yīng)工業(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(huán)境要�,滿足極端條件下的使用需��

�(yīng)�

SIS434DN-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(shù)�(jù)采集系統(tǒng):用于將模擬信號(hào)�(zhuǎn)換為�(shù)字信�(hào)�(shí)�(jìn)行緩沖或放大�
  2. 傳感器信�(hào)�(diào)理:適合壓力、溫�、加速度等各類傳感器輸出信號(hào)的預(yù)處理�
  3. 音頻�(shè)備:可用于耳機(jī)放大器、麥克風(fēng)前置放大器以及其他音頻相�(guān)場景�
  4. 工業(yè)控制:適用于各種閉環(huán)控制系統(tǒng)中的誤差放大器角色�
  5. �(yī)療電子:例如心電圖儀、超聲波�(shè)備等�(duì)信號(hào)�(zhì)量要求極高的場合�

替代型號(hào)

OPA434, AD8676, LT1677

sis434dn-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sis434dn-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
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sis434dn-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C35A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.6 毫歐 @ 16.2A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1530pF @ 20V
  • 功率 - 最�52W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? 1212-8
  • 包裝帶卷 (TR)