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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SIRA80DP-T1-RE3

SIRA80DP-T1-RE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:34:32 查看 閱讀�25

SIRA80DP-T1-RE3 是一款基于硅整流技�(shù)的高功率整流橋堆,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和商�(yè)電源系統(tǒng)中。該器件能夠?qū)⒔涣麟娹D(zhuǎn)換為直流�,適用于需要大電流和高電壓耐受能力的應(yīng)用場(chǎng)�。它采用了先�(jìn)的封裝工藝以確保良好的散熱性能和可靠�,同�(shí)具備快速恢�(fù)特性和低正向壓降�

參數(shù)

額定電壓�800V
  額定電流�8A
  正向壓降:≤1.1V(典型值@If=8A�
  反向恢復(fù)�(shí)間:20μs(最大值)
  工作溫度范圍�-40℃至+150�
  封裝形式:TO-220AC

特�

SIRA80DP-T1-RE3 的主要特�(diǎn)是其出色的電氣性能和機(jī)械設(shè)�(jì)。首先,它的額定電壓高達(dá) 800V,可以承受較高的浪涌電壓,從而在惡劣�(huán)境下依然保持�(wěn)定運(yùn)行。其�,其低正向壓降降低了功�,提高了整體效率。此�,該整流橋堆的快速反向恢�(fù)特性減少了開關(guān)噪聲,非常適合高頻電路應(yīng)用。同�(shí),TO-220AC 封裝提供了優(yōu)秀的散熱能�,允許其在較高負(fù)載下�(zhǎng)期使用而不�(huì)過熱�
  該器件還具有�(nèi)置的浪涌保護(hù)功能,能夠在瞬間高電壓沖擊下自我保護(hù),延�(zhǎng)使用壽命。另�,由于采用了無鉛材料制�,SIRA80DP-T1-RE3 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��

�(yīng)�

SIRA80DP-T1-RE3 主要用于各種高功率整流場(chǎng)�,例如開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、充電設(shè)備以及不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)�。其高電壓和大電流能力使其特別適合工�(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中的變頻器和逆變器設(shè)�(jì)。此�,在太陽(yáng)能發(fā)電系�(tǒng)�,這款整流橋堆可用� DC-DC � DC-AC �(zhuǎn)換階�,確保高效能量傳遞。家庭電器如空調(diào)、洗衣機(jī)也常利用此類元件�(shí)�(xiàn)電源管理�

替代型號(hào)

SIRA80DP-T1-E3
  SIRA80DP-T2-E3
  SIRA80DP-T2-RE3

sira80dp-t1-re3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sira80dp-t1-re3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,571�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �12.64000剪切帶(CT�3,000 : �5.78098卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)0.62 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)188 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+20V�-16V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)9530 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)104W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8