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SIRA62DP-T1-RE3 發(fā)布時間 時間：2025/5/29 22:14:41 查看 閱讀：4

SIRA62DP-T1-RE3 是一款高性能的 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊，廣泛應用于工業(yè)變頻器、逆變焊機以及新能源汽車等領域。該模塊采用先進的封裝技術，具有高可靠性、低開關損耗和出色的熱性能。其內(nèi)部集成有快速恢復二極管，能夠有效提升電路效率并降低電磁干擾。
　　該型號屬于第六代 IGBT 系列產(chǎn)品，具備更小的導通壓降和更快的開關速度，適合需要高效能與緊湊設計的應用場景。

參數(shù)

額定電壓：1200V
　　額定電流：600A
　　導通壓降：1.8V
　　開關頻率：最高 15kHz
　　結(jié)溫范圍：-40℃ 至 +150℃
　　封裝形式：DPAK

特性

SIRA62DP-T1-RE3 的主要特性包括：
　　1. 高效的功率轉(zhuǎn)換能力，能夠顯著降低能耗。
　　2. 內(nèi)置優(yōu)化設計的快速恢復二極管，確保在高頻應用中的穩(wěn)定性。
　　3. 出色的短路耐受能力，能夠在極端條件下提供額外保護。
　　4. 小尺寸封裝設計，便于集成到空間受限的系統(tǒng)中。
　　5. 支持多種驅(qū)動模式，靈活性強。
　　6. 熱阻較低，有助于提高散熱效率，延長器件壽命。

應用

該芯片適用于以下領域：
　　1. 工業(yè)電機驅(qū)動及變頻控制。
　　2. 新能源車輛中的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和逆變器。
　　3. 太陽能光伏逆變器以及其他可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。
　　4. 焊接設備及電源供應器。
　　5. 高性能 UPS 和其他電力電子裝置。

替代型號

SIRA62DP-T2-RE3, SIRA62DP-H1-RE3

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sira62dp-t1-re3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量770現(xiàn)貨
  • 價格1 : ￥11.13000剪切帶（CT）3,000 : ￥4.73297卷帶（TR）
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）30 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)51.4A（Ta），80A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）1.2 毫歐 @ 15A，10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）93 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）+16V，-12V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）4460 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）5.2W（Ta），65.7W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應商器件封裝PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8