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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 9:04:28 查看 閱讀�15

SIRA50ADP-T1-RE3 是一款高性能� IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模�,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和汽�(chē)�(lǐng)域中的功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具有高電流承載能力和出色的熱性能。其主要用途包括電�(jī)�(qū)�(dòng)、太�(yáng)能逆變器以及不間斷電源(UPS)等。此型號(hào)屬于第六� IGBT 技�(shù),具備低�(kāi)�(guān)損耗和�(dǎo)通損耗的特點(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效��

參數(shù)

額定電壓�1200V
  額定電流�50A
  集電�-�(fā)射極飽和電壓�1.4V
  門(mén)極電荷:160nC
  �(kāi)�(guān)頻率:最� 20kHz
  工作溫度范圍�-40� � +150�

特�

SIRA50ADP-T1-RE3 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 高效的熱管理�(shè)�(jì),確保在高功率應(yīng)用中保持�(wěn)定的性能�
  2. 低開(kāi)�(guān)損耗和�(dǎo)通損�,有助于減少能量損失并提升整體效��
  3. �(nèi)置快速恢�(fù)二極管,支持更高的電流反向流�(dòng)能力�
  4. 緊湊的封裝形�,便于集成到各種功率電子�(shè)備中�
  5. 出色的短路耐受能力,增�(qiáng)系統(tǒng)可靠��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(zhǎng)期使��

�(yīng)�

� IGBT 模塊適用于多種功率電子應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng),用于控制交流感�(yīng)電機(jī)的速度和扭��
  2. 太陽(yáng)能逆變�,將光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電�
  3. 不間斷電源(UPS�,提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)以保�(hù)敏感�(shè)��
  4. 電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器,助力電動(dòng)�(chē)高效�(yùn)行�
  5. 焊接�(shè)備和感應(yīng)加熱裝置,滿足不同工�(yè)加工需��

替代型號(hào)

SIRA50ADP-T1-RE7
  SIRA50ADP_T1-RE6

sira50adp-t1-re3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sira50adp-t1-re3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,220�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �12.64000剪切帶(CT�3,000 : �5.78098卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)54.8A(Ta��219A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)1.04 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+20V�-16V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)7300 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.25W(Ta��100W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8