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SIRA12DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 14:01:47 查看 閱讀�34

SIRA12DP-T1-GE3 是一款基于硅材料的瞬�(tài)電壓抑制二極管(TVS二極管),設(shè)�(jì)用于保護(hù)電子電路免受瞬態(tài)過電壓的影響,例如靜電放電(ESD�、雷擊浪涌和�(fù)載突降等。它屬于 Littelfuse 公司� SIRA 系列 TVS 二極管陣列產(chǎn)品線,采用雙向保�(hù)配置,適用于電信、數(shù)�(jù)通信和工�(yè)�(shè)備中的信�(hào)線路保護(hù)�
  該器件具有快速響�(yīng)�(shí)�、低電容以及出色� ESD 抑制能力,使其非常適合高速數(shù)�(jù)線和接口電路的保�(hù)�(yīng)用�

參數(shù)

工作電壓�12V
  峰值脈沖電流:67A
  最大反向工作電壓:12.8V
  擊穿電壓�14.1V
  箝位電壓�25.9V
  �(jié)電容�10pF
  響應(yīng)�(shí)間:1ps
  封裝類型:DO-214AC (SMAJ)

特�

SIRA12DP-T1-GE3 提供高效的瞬�(tài)電壓抑制功能,其雙向保護(hù)�(shè)�(jì)確保了對(duì)正負(fù)瞬態(tài)電壓的全面防�(hù)。它的超低電容值使得其適合于高速信�(hào)線路的應(yīng)�,不�(huì)顯著影響信號(hào)完整�。此�,該器件還具備以下特�(diǎn)�
  1. 快速響�(yīng)�(shí)間:能夠在皮秒級(jí)別內(nèi)響應(yīng)瞬態(tài)事件,從而有效保�(hù)下游敏感元件�
  2. 高度可靠的性能:符� IEC 61000-4-2 �(biāo)�(zhǔn),能夠承受高�(dá) ±30kV 的接觸放電和 ±30kV 的空氣放電�
  3. 小型化封裝:DO-214AC 封裝形式節(jié)省空�,便于在緊湊型設(shè)�(jì)中使��
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保無鉛設(shè)�(jì),滿足現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的需求�

�(yīng)�

SIRA12DP-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于需要高性能瞬態(tài)電壓抑制的各種場(chǎng)�,包括但不限于:
  1. �(shù)�(jù)通信端口保護(hù),如 USB、HDMI � DisplayPort 等高速接口�
  2. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)線路保護(hù)�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的 CAN 總線� LIN 總線保護(hù)�
  4. 電信�(shè)備中的射頻信�(hào)線路防護(hù)�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的音�/視頻接口防護(hù)�

替代型號(hào)

SMBJ12CA, PESD12QA, SMSP12A

sira12dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sira12dp-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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sira12dp-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.3 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2070pF @ 15V
  • 功率 - 最�31W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIRA12DP-T1-GE3TR