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SIR638ADP-T1-RE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 15:44:08 查看 閱讀�22

SIR638ADP-T1-RE3 是一款基于溝槽技�(shù)的高性能 N 溝道邏輯 � MOSFET,專為需要低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)效率的應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用小型化封�,適合于空間受限的設(shè)計場�。其出色的電氣性能使其在消費電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制�(lǐng)域得到廣泛應(yīng)��

參數(shù)

型號:SIR638ADP-T1-RE3
  類型:N 溝道 MOSFET
  VDS(漏源電壓)�40V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�2.5mΩ(典型�,在 VGS=10V 時)
  最� IDS(漏極電流)�119A(脈沖)�28A(連續(xù)�
  VGS(th)(柵極閾值電壓)�1.8V�3.6V
  總功耗:10W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263 (DPAK)

特�

SIR638ADP-T1-RE3 提供了超低的�(dǎo)通電� RDS(on),從而減少了功率損耗并提升了整體效�。同�,它具有快速開�(guān)能力,適用于高頻�(yīng)用環(huán)��
  該器件采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),優(yōu)化了芯片布局以降低寄生電感和電容,確保了良好的動�(tài)性能�
  此外,其耐熱增強型封裝提高了散熱性能,能夠在更高溫度下穩(wěn)定運�。這一特點使得 SIR638ADP-T1-RE3 成為 DC/DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機�(qū)動等�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

SIR638ADP-T1-RE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)
  3. 筆記本電腦和平板電腦的負(fù)載開�(guān)
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動電�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理與保�(hù)
  6. LED �(qū)動器和其他高效能�(zhuǎn)換應(yīng)�

替代型號

SIR638ADP-T1-E3, IRF638DPBF, FDP177AN

sir638adp-t1-re3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sir638adp-t1-re3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�393�(xiàn)�
  • 價格1 : �14.31000剪切帶(CT�3,000 : �6.54166卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)0.88 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)165 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)+20V�-16V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)9100 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)104W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8