時間：2025/5/21 19:21:51
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SIR626LDP-T1-RE3 是一款基于硅技術(shù)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用了先進的制程工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點，適合于要求高效能和低功耗的應(yīng)用場景。其封裝形式為 LLP（Leadless Lead Frame Package），能夠提供良好的熱性能和電氣性能。
這款 MOSFET 通常用于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動以及電源管理等應(yīng)用中。它的低導(dǎo)通電阻特性有助于減少傳導(dǎo)損耗，從而提高系統(tǒng)的整體效率。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：29A
導(dǎo)通電阻：0.85mΩ
柵極電荷：27nC
開關(guān)速度：快
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 高雪崩能力，增強了器件在異常情況下的耐用性。
3. 快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
4. 小型化的 LLP 封裝設(shè)計，節(jié)省 PCB 空間并優(yōu)化散熱性能。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
6. 寬泛的工作溫度范圍，確保在極端環(huán)境下的可靠運行。
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流。
2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流開關(guān)。
3. 電池供電設(shè)備中的負載開關(guān)。
4. 各類電機驅(qū)動電路。
5. 過流保護及短路保護電路。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和控制模塊。
SIR626DP, SIR628PDP
