SIR402DP 是一款來(lái)� Vishay � N 灃道晶體�,采� TrenchFET Gen III 技�(shù)制�。該晶體管具有極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),適合用于高效率開(kāi)�(guān)�(yīng)用和功率管理�(lǐng)�。SIR402DP-T1-GE3 表示其封裝形式為 TO-252 (DPAK),并符合�(wú)鉛環(huán)保要��
此器件適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制、通信�(shè)備等�(lǐng)域的�(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理等�(yīng)��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�27A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,� Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷�36nC(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間:28ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
是否�(wú)鉛:�
SIR402DP 使用先�(jìn)� TrenchFET Gen III 技�(shù),大幅降低了�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損��
其超低的 Rds(on) 值能夠顯著提高系�(tǒng)效率,尤其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
該晶體管具備快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻運(yùn)行環(huán)境下的高效能量轉(zhuǎn)換�
SIR402DP 具有較高的漏源電壓耐受能力,同�(shí)兼容廣泛的輸入電壓范圍�
器件的工作溫度范圍寬�,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
SIR402DP 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率管理的�(chǎng)�,包括但不限于關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)�(guān)
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)
4. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)與控�
5. 通信基站中的功率分配與保�(hù)電路
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電器及適配器�(shè)�(jì)
7. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模�
SIR404DP, IRFZ44N, FDP5500