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SIR402DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 10:17:22 查看 閱讀�28

SIR402DP 是一款來(lái)� Vishay � N 灃道晶體�,采� TrenchFET Gen III 技�(shù)制�。該晶體管具有極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)),適合用于高效率開(kāi)�(guān)�(yīng)用和功率管理�(lǐng)�。SIR402DP-T1-GE3 表示其封裝形式為 TO-252 (DPAK),并符合�(wú)鉛環(huán)保要��
  此器件適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制、通信�(shè)備等�(lǐng)域的�(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電源管理等�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�27A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,� Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�36nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:28ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  是否�(wú)鉛:�

特�

SIR402DP 使用先�(jìn)� TrenchFET Gen III 技�(shù),大幅降低了�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)損��
  其超低的 Rds(on) 值能夠顯著提高系�(tǒng)效率,尤其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
  該晶體管具備快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻運(yùn)行環(huán)境下的高效能量轉(zhuǎn)換�
  SIR402DP 具有較高的漏源電壓耐受能力,同�(shí)兼容廣泛的輸入電壓范圍�
  器件的工作溫度范圍寬�,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定性能�

�(yīng)�

SIR402DP 廣泛�(yīng)用于各種需要高效功率管理的�(chǎng)�,包括但不限于關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開(kāi)�(guān)
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)
  4. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  5. 通信基站中的功率分配與保�(hù)電路
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電器及適配器�(shè)�(jì)
  7. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模�

替代型號(hào)

SIR404DP, IRFZ44N, FDP5500

sir402dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sir402dp-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

sir402dp-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C35A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs42nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 15V
  • 功率 - 最�36W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIR402DP-T1-GE3TR