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SIP21101DR-33-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 16:39:26 查看 閱讀�21

SIP21101DR-33-E3 是一款基于硅工藝的高性能射頻功率晶體�,專為高頻無線通信�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用匹配�(wǎng)�(luò)和優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),能夠提供出色的增益、效率和線性度性能。它廣泛�(yīng)用于基站、無線電�(shè)備和其他射頻功率放大場景��
  此型號中的�-33”表示其工作頻率范圍在特定頻段內(nèi)�(jìn)行了�(yōu)�,適用于多種�(xiàn)代無線通信�(biāo)�(zhǔn)。此外,E3 后綴表明該器件符合某些環(huán)境或�(zhì)量認(rèn)證要�,例如高可靠性篩選標(biāo)�(zhǔn)�

參數(shù)

類型:射頻功率晶體管
  封裝:SIP(單列直插式封裝�
  工作頻率范圍�30 MHz � 450 MHz
  輸出功率�50 W(典型值)
  增益�12 dB(典型值)
  VSWR耐受性:高于 3:1
  電源電壓�28 V
  直流功耗:� 60 W
  插入損耗:� 0.5 dB
  存儲溫度范圍�-55°C � +125°C
  工作溫度范圍�-40°C � +100°C

特�

SIP21101DR-33-E3 的主要特性包括:
  1. 高輸出功率和效率,適合需要大功率傳輸?shù)�?yīng)��
  2. 在寬頻率范圍�(nèi)具有�(wěn)定的性能表現(xiàn),確保信號的一致性和可靠��
  3. �(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),簡化了外部電路�(shè)�(jì)并降低了系統(tǒng)�(fù)雜度�
  4. 提供良好的線性度和低失真性能,滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)的嚴(yán)格要��
  5. 具備較高� VSWR 耐受能力,能夠在�(fù)載不匹配的情況下保持�(wěn)定運(yùn)��
  6. �(huán)保合�(guī)�,支持無鉛焊接工�,并通過�(yán)格的可靠性測試�

�(yīng)�

SIP21101DR-33-E3 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 射頻功率放大器模�,用于提升無線信號強(qiáng)��
  2. 基站�(fā)射機(jī),支� GSM、CDMA � LTE 等多種通信�(biāo)�(zhǔn)�
  3. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) 頻段�(shè)備,如射頻加熱裝置或測試儀��
  4. 民用和軍用無線電通信系統(tǒng),包括對講機(jī)和移�(dòng)電臺�
  5. 測試與測量設(shè)備,用于評估射頻組件性能�

替代型號

SIP21101DR-25-E3, SIP21101DR-33-E2, SIP21101DR-45-E3

sip21101dr-33-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

sip21101dr-33-e3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�低壓� (LDO) �(diào)節(jié)�
  • 最大輸入電�6 V
  • 輸出電壓3.3 V
  • 回動(dòng)電壓(最大值)0.08 V at 50 mA
  • 輸出電流300 mA
  • �(fù)載調(diào)節(jié)20 mV
  • 輸出端數(shù)�1
  • 輸出類型Fixed
  • 最大工作溫�+ 85 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SC-70
  • Input Voltage MIN+ 2 V
  • 線路�(diào)整率0.3 % / V
  • 最大功率耗散0.384 W
  • 最小工作溫�- 40 C
  • 封裝Reel
  • 工廠包裝�(shù)�3000
  • 電壓�(diào)節(jié)�(zhǔn)確度1.5 %