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SIP10N20 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 12:29:43 查看 閱讀：13

SIP10N20是一種N溝道功率MOSFET，采用TO-220封裝形式。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力，適合用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他功率管理應(yīng)用。該器件能夠在高達(dá)200V的工作電壓下穩(wěn)定運(yùn)行，并且具備快速開(kāi)關(guān)特性，有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。

參數(shù)

最大漏源電壓：200V
　　最大連續(xù)漏極電流：10A
　　最大柵源電壓：±20V
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：3.5Ω
　　總功耗：75W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+150℃

特性

SIP10N20是一款高性能的功率MOSFET，其主要特性如下：
　　1. 高擊穿電壓：能夠承受高達(dá)200V的漏源電壓，適用于高壓環(huán)境下的電路。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：典型值為3.5Ω，可有效降低導(dǎo)通損耗。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)速度：具備較低的柵極電荷，使得開(kāi)關(guān)時(shí)間更短，從而減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)：在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能，工作結(jié)溫范圍可達(dá)-55℃至+150℃。
　　5. TO-220封裝：提供出色的散熱性能，易于安裝和集成到各種功率系統(tǒng)中。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)：環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)，滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

應(yīng)用

SIP10N20廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）：作為主開(kāi)關(guān)管或同步整流管使用。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：控制直流電機(jī)的速度和方向。
　　3. DC-DC轉(zhuǎn)換器：實(shí)現(xiàn)高效電壓轉(zhuǎn)換。
　　4. 逆變器：用于太陽(yáng)能逆變器或其他類(lèi)型的電力逆變?cè)O(shè)備。
　　5. 電池保護(hù)電路：防止過(guò)充或過(guò)放現(xiàn)象。
　　6. 負(fù)載開(kāi)關(guān)：動(dòng)態(tài)開(kāi)啟或關(guān)閉負(fù)載電路以節(jié)省能耗。

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　STP10NK60Z
　　FQP12N20
　　IXTP10N200P3

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