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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 15:35:30 查看 閱讀�40

SIHG30N60E-GE3 是一款由 SemiSouth 生產(chǎn)� N 沫道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),采用 TO-247 封裝形式。該器件具有 600V 的耐壓能力,適合用于高壓應(yīng)用場(chǎng)�,如開關(guān)電源、逆變器和電機(jī)�(qū)�(dòng)�。其低導(dǎo)通電阻特性有助于提高效率并降低功耗�
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)� MOSFET,具有快速開�(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和汽車領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  最大連續(xù)漏電流:30A
  最大柵極源電壓:�20V
  �(dǎo)通電阻:1.1Ω
  總柵極電荷:65nC
  輸入電容�1250pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

SIHG30N60E-GE3 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,支持高�(dá) 600V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)性能,具備較低的柵極電荷和輸出電�,適用于高頻�(yīng)��
  4. 采用 TO-247 封裝,具有良好的散熱性能,便于集成到各種電路��
  5. 廣泛的工作溫度范�,確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運(yùn)行�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

SIHG30N60E-GE3 可用于多種電力電子應(yīng)用中,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 逆變�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  6. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的功率控制模�
  該器件的高耐壓和低�(dǎo)通電阻特性使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

SIHG40N65E-GE3
  IXFN65W40T2
  IRFP460

sihg30n60e-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sihg30n60e-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 封裝Tube