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SIHG22N60E-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/19 14:24:10 查看 閱讀:12

SIHG22N60E-GE3 是一款由 SemiSouth 生產(chǎn)的增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管(IGBT),專(zhuān)為高頻、高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的溝槽場(chǎng)截止技術(shù),具有低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,適合用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源(UPS)、太陽(yáng)能逆變器和其他功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其額定電壓為 600V,額定電流為 22A,能夠承受較高的瞬態(tài)電壓和電流沖擊。

參數(shù)

額定電壓:600V
  額定電流:22A
  集電極-發(fā)射極飽和電壓(Vce(sat)):1.7V(典型值,@Ic=10A,Tj=25°C)
  門(mén)極閾值電壓(Vge(th)):4V(典型值,@Ic=250mA,Tj=25°C)
  總功耗:220W
  最大結(jié)溫:175°C
  存儲(chǔ)溫度范圍:-55°C 至 175°C
  封裝形式:TO-247

特性

SIHG22N60E-GE3 具有以下顯著特點(diǎn):
  1. 采用先進(jìn)的溝槽場(chǎng)截止技術(shù),降低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,減少開(kāi)關(guān)時(shí)間和死區(qū)時(shí)間,提高整體效率。
  3. 良好的熱性能,支持更高的工作溫度范圍。
  4. 內(nèi)置反并聯(lián)二極管,優(yōu)化了續(xù)流性能,適用于高頻應(yīng)用。
  5. 出色的短路耐受能力,確保在極端條件下可靠運(yùn)行。
  6. 低雜散電感封裝設(shè)計(jì),提升電磁兼容性(EMC)表現(xiàn)。
  7. 環(huán)保材料,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。

應(yīng)用

該 IGBT 主要應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景,包括但不限于:
  1. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
  2. 不間斷電源(UPS)。
  3. 太陽(yáng)能逆變器。
  4. 電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器。
  5. 焊接設(shè)備。
  6. 高頻感應(yīng)加熱裝置。
  7. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)。

sihg22n60e-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sihg22n60e-ge3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 產(chǎn)品種類(lèi)MOSFET
  • 封裝Reel