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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SIHG039N60EF-GE3

SIHG039N60EF-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 8:36:11 查看 閱讀�19

SIHG039N60EF-GE3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 公司旗下品牌)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特性,適用于多種開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用。其額定電壓� 60V,并在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能�
  該器件采用了 PowerPAK? 1212-8S 封裝,具備超小型化和低熱阻的特點(diǎn),非常適合對空間和散熱要求較高的�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�7.5A
  �(dǎo)通電阻(典型�,Vgs=10V):3.9mΩ
  柵極電荷�24nC
  反向恢復(fù)時間�19ns
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
  封裝類型:PowerPAK? 1212-8S

特�

SIHG039N60EF-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,得益于其低柵極電荷和短反向恢復(fù)時間,適合高頻應(yīng)��
  3. 采用先�(jìn)� TrenchFET Gen III 技�(shù),優(yōu)化了芯片�(jié)�(gòu)以提供更好的電氣性能�
  4. PowerPAK? 1212-8S 封裝具有低寄生電感和出色的散熱性能�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
  6. 可靠性高,經(jīng)過嚴(yán)格的測試和篩�,確保長期穩(wěn)定運(yùn)行�

�(yīng)�

SIHG039N60EF-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降�、升壓和升降壓拓?fù)�?br>  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)動和控制�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的充電器和適配��
  6. 通信�(shè)備中的電源管理模��

替代型號

SIHG040N60EF-GE3
  IRF6636ZPBF
  FDP5500NL
  AO3400A

sihg039n60ef-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sihg039n60ef-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �98.98000管件
  • 系列EF
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)61A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)40 毫歐 @ 32A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)126 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)4323 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)357W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247AC
  • 封裝/外殼TO-247-3