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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SIHG039N60E-GE3

SIHG039N60E-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 17:55:17 查看 閱讀�30

SIHG039N60E-GE3 是一款由 Semikron(賽米控)生�(chǎn)� IGBT 模塊,屬� EconoPACK 系列。該模塊采用了先�(jìn)� IGBT 技�(shù)和快速恢�(fù)二極管設(shè)�(jì),適用于工業(yè)變頻�、不間斷電源 (UPS)、太陽能逆變器等中功率應(yīng)用場(chǎng)��
  該模塊具有高可靠性、低�(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的特點(diǎn),同�(shí)其封裝形式緊湊,適合需要高效率和高功率密度的電力電子設(shè)��

參數(shù)

額定電壓�600V
  額定電流�39A
  最大集電極-�(fā)射極飽和電壓�1.7V
  最大柵�-�(fā)射極開啟電壓�20V
  最大柵�-�(fā)射極�(guān)斷電壓:-15V
  開關(guān)頻率范圍:最高可�(dá) 20kHz
  工作溫度范圍�-40� � +125�
  熱阻�1.2 K/W
  封裝形式:EconoDUAL III

特�

SIHG039N60E-GE3 的主要特性包括:
  1. 高效� IGBT 芯片技�(shù),確保低�(dǎo)通電阻和低開�(guān)損��
  2. �(nèi)置快速恢�(fù)二極管,�(yōu)化了反向恢復(fù)性能并降低了開關(guān)噪聲�
  3. 使用壓接式結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),提高了模塊的可靠性和散熱性能�
  4. 封裝緊湊,節(jié)省空�,便于在有限的空間內(nèi)集成更多功能�
  5. 寬廣的工作溫度范�,能夠適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于維護(hù)�
  7. 提供�(yōu)異的短路耐受能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的安全性與�(wěn)定��

�(yīng)�

SIHG039N60E-GE3 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)變頻�,用于電�(jī)控制以提高能��
  2. 不間斷電� (UPS),提供穩(wěn)定的電力輸出�
  3. 太陽能逆變�,將直流電高效轉(zhuǎn)換為交流��
  4. 電動(dòng)汽車充電站,支持快速充電需��
  5. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(shè)�,如焊接�(jī)和感�(yīng)加熱裝置�

替代型號(hào)

SIHG040N60E-GE3
  SKM400GB123D
  FF450R12ME4_C2

sihg039n60e-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sihg039n60e-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�406�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �88.56000管件
  • 系列E
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)63A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)39 毫歐 @ 32A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)126 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)4369 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)357W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247AC
  • 封裝/外殼TO-247-3