SIHB17N80AE-GE3 是一款由 SemiSouth 生產(chǎn)的高性能 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的硅 Carbide (SiC) 技�(shù)制�,具有高效率、低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能等特性。這些特點(diǎn)使其非常適合高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用以及需要高功率密度的設(shè)�(jì)�
� MOSFET 的額定電壓為 1700V,能夠承受較高的反向電壓,同�(shí)具備較低的導(dǎo)通電阻,從而減少了功率損耗并提高了系�(tǒng)效率。此�,其封裝形式通常� TO-247,便于散熱管��
額定電壓�1700V
額定電流�8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�55mΩ
柵極電荷(Qg):30nC
輸入電容(Ciss):1600pF
輸出電容(Coss):80pF
反向恢復(fù)�(shí)間(trr):50ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
SIHB17N80AE-GE3 的主要特性包括:
1. 高額定電壓(1700V�,適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),降低�(dǎo)通狀�(tài)下的功率損��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損�,提高系�(tǒng)效率�
4. 先�(jìn)� SiC 技�(shù)確保了更高的效率和更小的尺寸�
5. 能夠在高溫環(huán)境下�(yùn)�,擴(kuò)展了其適用范��
6. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,適合長(zhǎng)期高�(fù)荷工作�
7. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化以改善散熱性能,支持更高功率密度的�(yīng)用場(chǎng)景�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變��
2. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)�
3. 電動(dòng)汽車(EV)充電站及車載電源系�(tǒng)�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和不間斷電源(UPS��
5. 高壓電力電子�(shè)�,如固態(tài)繼電器和�(kāi)�(guān)電源(SMPS��
由于其卓越的性能和耐用性,它成為許多高�、高效能需求環(huán)境的理想選擇�
SIHBR17D12M2E-GE3
C2M0160120D
FFNH30T6S