時(shí)間：2025/5/21 17:33:21
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SIC451ED-T1-GE3 是一款基于硅 carbide（SiC）材料設(shè)計(jì)的高性能 MOSFET 功率晶體管。該器件采用了先進(jìn)的 SiC 技術(shù)，具有高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，非常適合用于高效能電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及新能源應(yīng)用等領(lǐng)域。
這款功率晶體管在高頻工作條件下依然能夠保持較低的開關(guān)損耗，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件。
最大漏源電壓：1200V
連續(xù)漏極電流：45A
導(dǎo)通電阻：16mΩ
柵極電荷：95nC
反向恢復(fù)時(shí)間：80ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃ to +175℃
SIC451ED-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 高擊穿電壓：支持高達(dá) 1200V 的漏源電壓，適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 低導(dǎo)通電阻：僅 16mΩ 的導(dǎo)通電阻顯著降低了導(dǎo)通損耗，提升了整體效率。
3. 快速開關(guān)性能：極低的柵極電荷和反向恢復(fù)時(shí)間確保了高速開關(guān)操作，減少開關(guān)損耗。
4. 高溫適應(yīng)性：工作結(jié)溫范圍從 -55℃ 到 +175℃，適合極端溫度條件下的應(yīng)用。
5. 熱穩(wěn)定性：SiC 材料本身的優(yōu)異熱傳導(dǎo)性能使其能夠更好地管理熱量，提高長期可靠性。
6. 小型封裝：采用 TO-247-3L 封裝形式，便于安裝且散熱性能優(yōu)越。
SIC451ED-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)電源：如不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：用于高性能伺服驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電機(jī)控制器。
3. 電動(dòng)汽車：適用于車載充電器（OBC）、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器。
4. 高頻開關(guān)電源：為通信設(shè)備和服務(wù)器提供高效的電源解決方案。
5. 新能源領(lǐng)域：風(fēng)能變流器和儲能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
由于其卓越的性能和可靠性，SIC451ED-T1-GE3 成為許多高要求電力電子應(yīng)用的理想選擇。
SIC451ED-T1-E3, SIC451ED-T1-G3
